Infineon TLD5085: zasilacz mocy DC/DC, w aplikacji z LED P4 firmy Seoul Semiconductor
Na fotografii 3 pokazano zmontowaną płytkę przetwornicy, którą testowano jako zasilacz trzech szeregowo połączonych LED N42180x (fotografia 4) z serii P4 firmy Seoul Semiconductor. Są to diody o mocy 1 W, przystosowane do zasilania prądowego o natężeniu 350 mA.
Fot. 4. Wygląd diody N42180 z serii P4 (Seoul Semiconductor)
W tabeli 1 zestawiono podstawowe parametry tych diod, przy czym warto zwrócić uwagę że w sprzedaży mogą być dostępne po dwa warianty LED, wyposażone w inne struktury (o większych napięcia prądowych) i minimalnie zmodyfikowane kąty rozpraszania światła. Diody z sufiksem H w oznaczeniu typu mają mniejszą, niż standardowe, wartość CRI, ale jest ona nadal wysoka – wartość 80 tego parametru jest obecnie klasyfikowana jako progowa dla systemów oświetleniowych, w których wierność oddawania barw ma duże znaczenie.
Tab. 1. Podstawowe parametry diod N42180 (rodzina P4, produkowane przez Seoul Semiconductor)
Typ | VF [V] | Φv [lm] | CCT | CRI | lF [mA] | 2θ½ [˚] |
N42180 | 3,25 | 72 | 3000 | 93 | 350 | 124 |
N42180 (nowa wersja) | 3,3 | 72 | 3000 | 93 | 350 | 126 |
N42180H | 3,25 | 86 | 3000 | 80 | 350 | 124 |
N42180H (nowa wersja) | 3,3 | 90 | 3000 | 80 | 350 | 127 |
Rys. 5. Schemat montażowy płytki drukowanej dla 3 sztuk LED N42180 (dokumentacja do pobrania poniżej)
W prezentowanym projekcie zastosowano 3 diody LED połączone szeregowo, zamontowane na płytce drukowanej, której schemat montażowy pokazano na rysunku 5. Widoczne powiększone pola miedzi (cynowane) usprawniają odprowadzanie ciepła z obudów LED, w czym dodatkowo pomaga duża liczba otworów nawierconych w płytce (zapewniają przepływ powietrza pomiędzy stronami PCB). Dokumentacje produkcyjne PCB (Gerber) i zastosowanych podzespołów są dostępne poniżej – konieczna jest rejestracja!
Ryszard Szymaniak, Aries RS