NXP poszerza ofertę tranzystorów w najmniejszych obudowach
Holenderski producent ogłosił poszerzenie swojego portfolio tranzystorów w miniaturowych, plastikowych obudowach DFN1006B-3 (znanych także jako SOT883B) o wymiarach 1 x 0.6 x 0.37 mm. Po powiększeniu, liczy ono 60 tranzystorów bipolarnych i 12 małosygnałowych tranzystorów trench MOSFET, zarówno N-, jak i P-kanałowych. Z taką ofertą NXP stało się liderem rynku jeśli chodzi o tranzystory w obudowach SOT883B.
Poszerzone portfolio zawiera wiele modeli tranzystorów ogólnego przeznaczenia oraz przełączających, np. standardowych BC847 i BC857 oraz PMBT3904 i PMBT3906, a także tranzystorów z rezystorami (resistor equiped transistor, RET), obejmujących wszystkie standardowe kombinacje rezystorów.
W ofercie NXP jest też kilka modeli wydajnych, energooszczędnych tranzystorów BJT oraz MOSFET, nadających się do pracy w urządzeniach mobilnych, np. PBSS2515MB o niskim napięciu nasycenia, wynoszącym 150 mV, znoszący prądy do 1 A. Z kolei MOSFET’y na napięcia 20-60 V, takie jak PMZB290UN mają bardzo niską rezystancję w stanie włączenia, nawet do 250 mΩ, co ogranicza straty energii.
Tranzystory w obudowach DFN1006B-3 mają takie same charakterystyki elektryczne i termiczne, jak ich odpowiedniki w dużo większych obudowach SOT23, SOT323 czy SOT416, pozwalając na zamianę 1:1 i oszczędzanie miejsca na płytkach PCB.
Szczegółowe informacje dotyczące tranzystorów różnych typów w obudowach DFN1006B-3 można znaleźć na wymienionych poniżej stronach produktowych firmy NXP: tranzystory ogólnego przeznaczenia NPN, 45 V, 100 mA (seria BC847xMB), tranzystory ogólnego przeznaczenia PNP, 45 V, 100 mA (seria BC857xMB), tranzystor przełączający NPN, 40 V, 200 mA (PMBT3904MB), tranzystor przełączający PNP, 40 V, 200 mA (PMBT3906MB), tranzystor NPN o niskim napięciu nasycenia VCE (BISS), 15 V, 0.5 A (PBSS2515MB), pojedynczy N-kanałowy trench MOSFET, 20 V (PMZB290UN).
Informacje o obudowie DFN1006B-3 można natomiast znaleźć na poświęconej jej stronie w portalu NXP.
Dystrybutorem NXP w Polsce jest firma Future Electronics, ul. Panieńska 9, 03-704 Warszawa, http://www.futureelectronics.com.




NVIDIA, Rebellions i SK Telecom rozwijają koreańską AI
JRH sfinansuje produkcję ukraińskich radarów w ramach ORBITEO
Politechnika Wrocławska jako uczelnia badawcza otrzyma ponad 500 mln PLN z IDUB 


![https://www.youtube.com/watch?v=xeqdqGuy-Aw Michał Mitas, kierownik laboratorium Badań Urządzeń Radiowych w katowickim instytucie Łukasiewicz - AI, opowiada o badaniach urządzeń z interfejsem komunikacji bezprzewodowej, jak Wi-Fi, Bluetooth, LTE czy 5G, przeprowadzanych w komorze bezodbiciowej. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/10/00.png)

![https://www.youtube.com/watch?v=QSnLO-KmBMY O wybranych projektach realizowanych w Laboratorium Zakładu Układów Mikrofalowych – ISE PW opowiadają: mgr inż. Michał Kalisiak, dr hab. inż. Arkadiusz Lewandowski, mgr inż. Andžej Šerlat oraz dr hab. inż. Krzysztof Czuba. Zapraszamy na firm [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/09/WEiTI-PW-czolowka.png)

