Firma International Rectifier (IR) wprowadziła na rynek nową rodzinę tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor) o maksymalnym napięciu kolektor-emiter 600 V. Tranzystory, które nazwano Gen7 F, przeznaczone są do zastosowania w systemach sterowania silnikami, działających z częstotliwością przełączania poniżej 10 kH. Przykładowe aplikacje to sprężarki do lodówek i klimatyzatorów.

W najnowszej generacji tranzysotrów Gen7 F firmy IR zastosowano technologię „punch-through Trench” w celu dostarczenia większej gęstości mocy oraz zmniejszenia strat przewodzenia i przełączania przy określonej częstotliwości pracy. Nowe tranzystory IGBT osiągają bardzo niskie napięcie kolektor-emiter  V_{CE (ON)}, umożliwiają płynniejsze przełączanie w celu redukcji zakłóceń elektromagnetycznych (EMI – Electromagnetic Interference) i chwilowych przetężeń, oraz stanowią zabezpieczenie przeciwzwarciowe w systemach sterowania silników.

Modele tranzystorów IRG7RC10FD i IRG7IC30FD są zintegrowane z diodą o miękkiej charakterystyce odzyskiwania zdolności zaporowych (soft recovery diode), podczas gdy model IRG7SC12F jest pojedynczym tranzystorem IGBT, co umożliwia wybranie przez projektanta optymalnej dla danej aplikacji diody.

Obecnie są dostępne dwa projekty referencyjne sterowania silnikiem wyposażone w tranzystory Gen 7 F IGBT. Oba projekty referencyjne (IRMDKG7-400W, IRMDKG7-600W) wykorzystują tranzystor IRG7SC30FD DPAK IGBT oraz wysokonapięciowy (HVIC), trójfazowy sterownik IRS2334S.