Samsung produkuje pamięć eFlash w technologii 45 nm

Firma Samsung, pokonująca sukcesywnie następny bariery technologii produkcji pamięci różnych typów ogłosiła kolejny sukces. Udało jej się wykonać pamięć typu embedded flash (eFlash), w postaci karty elektronicznej smart card w technologii 45 nm.

Karta, wyprodukowana jako demonstracja nowego procesu, zapewnia wysoką niezawodność, określaną na milion cykli zapisu na komórkę pamięci. Jest to wynik lepszy od rynkowego standardu, wynoszącego obecnie ok. pół miliona cykli. Co więcej, testowy chip cechuje się o połowę krótszym czasem dostępu i o 25% większą wydajnością energetyczną w porównaniu z wcześniejszymi pamięciami eFlash wytwarzanymi w technologii 80 nm.

Samsung zapowiada, że nowa technologia produkcji posłuży mu do budowania jeszcze silniejszej pozycji w obszarze mikrokontrolerów konsumenckich oraz układów dla przemysłu motoryzacyjnego, chociaż reprezentanci firmy twierdzą też, że nowy proces może być użyty także w rozwiązaniach z zakresu bezpieczeństwa i urządzeń mobilnych, wliczając układy: NFC, eSE (embedded Secure Element) i TPM (Trusted Platform Module) oraz oczywiście karty smart card.

Pierwsze próbki układów kart tego typu produkowanych w technologii 45 nm mają być dostępne komercyjnie w drugiej połowie przyszłego roku.

Więcej informacji: Soyter Sp. z o.o., Klaudyn, ul. Ekologiczna 14/16, 05-080 Izabelin, http://www.soyter.pl.