Infineon prezentuje wysokonapięciowe tranzystory mocy MOSFET w miniaturowej obudowie

Firma Infineon Technologies rozszerzyła swoją rodzinę tranzystorów mocy CoolMOS o modele w miniaturowej obudowie SMD ThinPAK 5×6 (rozmiary 5 x 6 x 1 mm). ThinkPAK 5×6 oznacza dla inżynierów większą swobodę w projektowaniu płytek PCB i bardziej stabilną pracę podczas przełączania, co prowadzi do większej sprawności zasilacza w takich urządzeniach jak ładowarki, systemy oświetlenia i płaskie telewizory. Jednocześnie całkowity koszt i rozmiar systemu zostają zmniejszone.
Dzięki swoim małym wymiarom ThinPAK 5×6 oznacza zmniejszenie zajmowanej przestrzeni nawet o 80% w stosunku do rozwiązań tradycyjnych, takich jak DPAK. Tym samym rozwiązanie to umożliwia producentom tworzenie mniejszych produktów.

Ponadto zredukowany wpływ elementów pasożytniczych, takich jak niska indukcyjność źródła w stosunku do obudowy DPAK sprawia, że oscylacje bramki zostają złagodzone, a napięcie przestrzałów podczas przełączania jest nawet o 40% mniejsze, niż w tradycyjnych obudowach SMD.
Próbki inżynieryjne tranzsystorów CoolMOS ThinPAK 5×6 są już dostępne. Produkcja masowa rozpocznie się we wrześniu 2014 roku. Dodatkowe informacje można znaleźć na stronie internetowej firmy Infineon.

PPTF i ARP S.A. organizują program staży w zakresie mikroelektroniki
Ustawa o systemach AI – bezpieczny rozwój sztucznej inteligencji w Polsce
Energa Operator z dofinansowaniem 338 mln PLN na stacje ładowania dla ciężarówek 

![https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png)



