Firma Toshiba Electronics Europe ogłosiła, że jej niskonapięciowe tranzystory MOSFET będą dostępne w kompaktowych obudowach DSOP Advance. Dzięki specjalnie zaprojektowanej konstrukcji ciepło jest efektywnie odprowadzane poprzez obie strony obudowy układu. To rozwiązanie pomoże projektantom zmniejszyć temperaturę płytki PCB w systemach o dużej gęstości upakowania podzespołów.

Obudowa DSOP Advance ma te same wymiary (5 x 6 mm), co obudowa SOP Advance. Testy porównawcze wykazały obniżenie temperatury pracy o ponad 34%. Co więcej, w pewnych projektach zmniejszona rezystancja termiczna obudowy DSOP Advance może całkowicie wyeliminować potrzebę użycia radiatora.

W nowe obudowy DSOP Advance zostaną wyposażone istniejące tranzystory MOSFET UMOS VIII – H i nowe tranzystory MOSFET UMOS IX – H. Układy te wyróżniają się niską rezystancją w stanie nasycenia Rds(on) oraz niską pojemnością wyjściową. Wersje w obudowach DSOP Advance będą w pierwszej kolejności dostępne dla wybranych układów pracujących z napięciami 30 i 100 V.

Docelowe zastosowania nowych układów MOSFET w obudowach DSOP Advance obejmują głównie systemy zasilania o wysokiej szybkości przełączania – na przykład synchroniczne przetwornice stosowane w serwerach i systemach telekomunikacyjnych, jak również elektronarzędziach.