Fairchild wprowadza rodzinę tranzystorów MOSFET SuperFET III
Firma Fairchild Semiconductor, teraz należąca o ON Semiconductor, wprowadziła rodzinę n-kanałowych tranzystorów MOSFET o nazwie SuperFET III. Jest to nowa generacja tranzystorów MOSFET o napięciu znamionowym 650 V, która pozwala uzyskać wyższą gęstość mocy i sprawność energetyczną systemu. Wyjątków wytrzymałość odpowiada na potrzeby najnowszych systemów telekomunikacyjnych, serwerów, stacji ładowania pojazdów elektrycznych i baterii słonecznych.
Rodzina tranzystorów MOSFET SuperFET III łączy najwyższą w tej klasie niezawodność, niski poziom interferencji elektromagnetycznych, wysoką sprawność i korzystne parametry temperaturowe. Te cechy pozwalają na realizację urządzeń o wysokiej wydajności. Układy są dostępne w wielu różnych obudowach, co daje projektantom swobodę wyboru, zwłaszcza w przypadku projektów o ograniczonych rozmiarach.
Technologia SuperFET III zapewnia najmniejszą rezystancję przewodzenia spośród rozwiązań tego typu z serii Super Junction MOSFET. Oznacza to najwyższą sprawność w tek klasie układów. Osiągnięcie tego wyniku było możliwe dzięki zaawansowanej technice regulacji ładunku, co pozwoliło obniżyć rezystancję przewodzenia o 44% w stosunku do poprzedniej wersji SuperFET II, zachowując ten sam rozmiar obudowy.
Najważniejszą cechą rodziny SuperFET III, która zapewnia wyjątkowa trwałość i niezawodność, jest najlepsza jakość diody wewnętrznej w tej klasie i trzykrotnie lepsza energia odpowiedzi lawinowej na impuls (Eas) w porównaniu do najbliższego konkurenta.
Niższy poziom maksymalnego napięcia dren-źródło w stanie wyłączenia tranzystorów SuperFET III o napięciu znamionowym 650 V zwiększa niezawodność systemu podczas pracy w niskiej temperaturze, ponieważ napięcie znamionowe w naturalny sposób spada o 5% w temperaturze złącz o 25°C niższej, niż temperatura pokojowa. Natomiast maksymalne napięcie dren-źródło w niskiej temperaturze wzrasta. Zwiększona niezawodność jest istotna szczególnie w przypadku zastosowań przemysłowych, takich jak inwertery słoneczne, zasilacze awaryjne (UPS) i stacje ładowania pojazdów elektrycznych. Muszą one być w stanie wytrzymać pracę zarówno w niskiej, jak i wysokiej temperaturze otoczenia.
Układy MOSFET z rodziny SuperFET III są już dostępne w wielu wersjach i modelach obudów. Więcej informacji o nowej rodzinie Fairchild SuperFET III jest dostępnych tu.


PPTF i ARP S.A. organizują program staży w zakresie mikroelektroniki
Ustawa o systemach AI – bezpieczny rozwój sztucznej inteligencji w Polsce
Energa Operator z dofinansowaniem 338 mln PLN na stacje ładowania dla ciężarówek 

![https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png)



