Nowe układy MOSFET odporne na promieniowanie

Firma IR HiRel należąca do Infineon Technologies wprowadziła pierwsze n-kanałowe tranzystory MOSFET odporne na promieniowanie, oparte na autorskiej technologii R9. W porównaniu do poprzednich technologii, zastosowanie tego rozwiązania zapewnia mniejsze rozmiary i wagę układu oraz lepszą sprawność energetyczną. Są to istotne cechy w przypadku systemów takich, jak satelity o wysokiej przepustowości transmisji – można obniżyć stosunek kosztu do ilości transmitowanych danych. Tranzystory MOSFET o napięciu znamionowym 100 V i prądzie 35 A są przeznaczone dla krytycznych systemów, które muszą zapewnić pracę przez 15 lat lub dłużej. Docelowe zastosowania obejmują przetwornice prądu stałego klasy kosmicznej, pośrednie konwertery na szynie zasilania, sterowniki napędów i inne elementy o wysokiej szybkości przełączania.

Modele IRHNJ9A7130 oraz IRHNJ9A3130 opracowane przez Infineon IR HiRel charakteryzują się odpornością na dawkę promieniowania (TID) odpowiednio 100 kRad i 300 kRad. Rezystancja włączenia R_ds wynosi typowo 25 mΩ, co stanowi wartość o 33% mniejszą, niż w poprzedniej generacji układów. Dzięki temu, w połączeniu ze zwiększeniem maksymalnego prądu drenu (35 A w stosunku do 22 A), nowe układy MOSFET zapewniają zwiększoną gęstość mocy i pozwalają obniżyć straty mocy w układach przełączanych.

Nowe tranzystory MOSFET mają lepszą odporność na cząstki jonizujące (SEE). Ich liniowy przekaz energii (LET) wynosi do 90 MeV/(mg/cm²) – przynajmniej 10 % więcej, niż w poprzednich wersjach. Oba nowe układy mieszczą się w hermetycznie zamkniętych, lekkich obudowach ceramicznych montowanych powierzchniowo (SMD-0.5). Ich wymiary to 10,28 mm x 7,64 mm x 3,12 mm. Układy są również dostępne w postaci surowej kości.

Można już zamówić próbki oraz ilości hurtowe układów IRHNJ9A7130 oraz IRHNJ9A3130.

Więcej informacji można uzyskać na stronie produktów.