Pierwsza czterostanowa pamięć Flash w technologii 3D osiąga pojemność 1,5 TB

Firma Toshiba Memory jako pierwsza na świecie wprowadziła do produkcji wielowarstwową pamięć Flash BiCS wykorzystując technologię 3D. Najnowszy układ jako pierwszy pozwala na przechowaniu 4 bitów w jednej komórce (quadruple-level cell, QLC). Stanowi zatem bardziej efektywne rozwiązanie, niż układy typu TLC (triple-level cell). Prototypowa pamięć Flash osiągnęła największą dotychczas uzyskaną gęstość zapisu (768 gigabitów/96 GB) dzięki zastosowaniu 64 warstw 3D. W tym miesiącu Toshiba rozpoczęła dostawy prototypów do sprzedawców dysków SSD oraz kontrolerów SSD, aby mogli oni przetestować nową technologię i opracować produkty ją wykorzystujące.

Pamięć Flash QLC 3D pozwala na stworzenie pojedynczego układu o pojemności 1,5 TB poprzez wykorzystanie 16 modułów 96 GB ułożonych jeden na drugim. Takie układy będą przeznaczone do użytkowych i profesjonalnych dysków SSD oraz kart pamięci.