Pierwsza czterostanowa pamięć Flash w technologii 3D osiąga pojemność 1,5 TB
Firma Toshiba Memory jako pierwsza na świecie wprowadziła do produkcji wielowarstwową pamięć Flash BiCS wykorzystując technologię 3D. Najnowszy układ jako pierwszy pozwala na przechowaniu 4 bitów w jednej komórce (quadruple-level cell, QLC). Stanowi zatem bardziej efektywne rozwiązanie, niż układy typu TLC (triple-level cell). Prototypowa pamięć Flash osiągnęła największą dotychczas uzyskaną gęstość zapisu (768 gigabitów/96 GB) dzięki zastosowaniu 64 warstw 3D. W tym miesiącu Toshiba rozpoczęła dostawy prototypów do sprzedawców dysków SSD oraz kontrolerów SSD, aby mogli oni przetestować nową technologię i opracować produkty ją wykorzystujące.
Pamięć Flash QLC 3D pozwala na stworzenie pojedynczego układu o pojemności 1,5 TB poprzez wykorzystanie 16 modułów 96 GB ułożonych jeden na drugim. Takie układy będą przeznaczone do użytkowych i profesjonalnych dysków SSD oraz kart pamięci.
Scanway zwiększa przychody, inwestuje w zaplecze produkcyjne i zawiera nowe kontrakty 
Sieć Badawcza Łukasiewicz rozwija laboratoria przemysłu wysokich technologii 
Grupa Volkswagen i Uniwersytet Techniczny w Brunszwiku zacieśniają współpracę badawczą w dziedzinie sztucznej inteligencji i mobilności 
![Zapraszamy do obejrzenia filmu i wysłuchania krótkich wypowiedzi prelegentów Hardware Forum 2026 i organizatorów majowej konferencji dla inżynierów z branży elektronicznej: Konrad Bruliński z Lemontech, prof. Krzysztof Kulpa z Politechniki Warszawskiej, Zbigniew Huber z FLC, Ewa Załupska z firmy KROK, Jerzy Kozieł z MPTECH, Grzegorz Potyralski z VIGO Photonics, dr Krzysztof Czuba z Politechniki Warszawskiej, Anna Beata Kalisz Hedegaard z Quantum Security Defence, Adrian Cichosz z Elhurt Dystrybucja Anna Kamińska z Creotech Quantum, oraz Łukasz Jaeszke i Adam Jaeszke z TEK.day [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/05/tytulowe-film-1.png "https://www.youtube.com/watch?v=BgxJVTwYJ-s")
