LinkedIn YouTube Facebook
Szukaj

Newsletter

Proszę czekać.

Dziękujemy za zgłoszenie!

Wstecz
Aktualności

Tranzystory CoolMOS P7 w ekonomicznej obudowie SOT-223

Firma Infineon Technologies rozszerzyła ofertę swych niedawno wprowadzonych tranzystorów superzłączowych CoolMOS P7 o wersje w obudowie SOT-223. Układy zostały zaprojektowane tak, aby mogły bezpośrednio zastąpić modele w obudowach DPAK – są z nimi całkowicie kompatybilne pod względem kształtu. Nowe tranzystory mocy CoolMOS P7 w obudowach SOT-223 są rozwiązaniem przeznaczonym do takich zastosowań, jak ładowarki smartfonów, adaptery zasilaczy laptopów, zasilacze telewizorów i oświetlenie.

Nowe tranzystory mocy MOSFET stanowią odpowiedź na zapotrzebowanie rynku zasilaczy impulsowych niskiej mocy. Odznaczają się wysokimi parametrami i łatwością stosowania, zapewniając przy tym bardziej atrakcyjne wymiary. Układy wykorzystują technologię superzłączy, która jest konkurencyjna cenowo i dzięki temu może zmniejszyć całkowity koszt projektu z punktu widzenia klienta.

Obudowa SOT-223 stanowi tanią alternatywę dla obudowy DPAK i jest popularna w obszarach wymagających utrzymania niskich kosztów. Istotne było zapewnienie odpowiednich parametrów cieplnych układów CoolMOS P7 umieszczonych w tej obudowie. Zastąpienie obudową SOT-223  standardowej wersji DPAK spowodowało wzrost temperatury o 2 – 3°C. Natomiast zastosowanie obszaru miedzi o powierzchni 20 mm lub większej pozwoliło uzyskać te same parametry temperaturowe, co w przypadku DPAK.

Układy CoolMOS P7 w obudowach SOT-223 są dostępne z napięciami znamionowymi 600, 700 lub 800 V. Dodatkowe wersje układów 700 i 800 V z innymi wartościami rezystancji włączenia zostaną wprowadzone wkrótce. Więcej informacji można znaleźć na stronie produktów.

Autor: Infineon