Infineon Technologies wprowadził do produkcji nowe moduły 1200V CoolSiC MOSFET oparte o nowoczesny materiał półprzewodnikowy, węglik krzemu (SiC). Moduły zasilania CoolSiC Easy 2B pozwalają inżynierom na redukcję kosztów dzięki zwiększeniu gęstości mocy. Dodatkowo, dzięki ok. 80% niższym stratom przełączania w porównaniu do krzemowych tranzystorów IGBT, można osiągnąć sprawność nawet 99%. Dzięki specyficznym właściwościom węgliku krzemu, układ może pracować z podobną lub wyższą częstotliwością przełączania. Moduł sprawdzi się w zasilaczach UPS, aplikacjach przechowywania energii, lub innych wymagających szybkiego przełączania.

Moduł zapewnia niską rezystancję w stanie włączenia – tylko 6 mΩ. Wbudowany czujnik temperatury NTC pozwala monitorować pracę urządzenia, a technologia PressFIT umożliwia łatwy montaż.

Więcej informacji o portfolio modułów SiC firmy Infineon na stronie: http://www.infineon.com/coolsic-mosfet