Nowe tranzystory N-MOSFET firmy Toshiba
Toshiba Electronics Europe GmbH wprowadziła do oferty dwa nowe modele tranzystorów N-kanałowych o napięciu 80 V. Przeznaczone są do aplikacji dużej mocy o minimalnych wymaganych stratach energii, w tym konwerterach AC-DC i DC-DC. Znajdą też zastosowanie w centrach danych, komunikacyjnych stacjach bazowych, a także przy sterowaniu silników.
Oba elementy – TPH2R408QM oraz TPN19008QM wytworzono w procesie U-MOSX-H. Oferują redukcję rezystancji RDS(ON) o 40% w porównaniu do tranzystorów poprzedniej generacji. Rezystancja RDS(ON) w elemencie TPN19008QM wynosi maksymalnie 19 mΩ, natomiast dla TPH2R408QM ta wartość jest równa jedynie 2,43 mΩ.
Oba tranzystory są dostępne w obudowach montowanych powierzchniowo. Mogą pracować w temperaturach do 175 °C. TPN19008QM może pracować z prądem drenu do 34 A i ma wymiary 3,3 x 3,3 mm. Natomiast TPH2R408QM ma maksymalny prąd drenu 120 A i jest dostępny w obudowie SOP o wymiarach 5,0 x 6,0 mm.
Więcej informacji na stronie producenta: TPN19008QM oraz TPH2R408QM.
Polska i Niemcy wzmacniają współpracę kolejową. Impuls dla rozwoju transgranicznej mobilności i sieci kolei dużych prędkości w UE 
Imec przedstawia 7-bitowy przetwornik analogowo-cyfrowy typu slope o częstotliwości 175 GS/s z masywnym przeplotem czasowym 
Grupa Volkswagen osiągnęła globalny kamień milowy – wyprodukowała 5 mln napędów elektrycznych 
![Piata już edycja konferencji Hardware Design Masterclasses dla elektroników zaskoczyła frekwencją, tym bardziej, że spotkanie było dwudniowe. Film jest krótką relacją z wydarzenia, bazującą na wypowiedziach prelegentów. [materiał redakcyjny] Zapraszamy do obejrzenia!](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/01/Rafal-tytulowe.png "https://www.youtube.com/watch?v=kmvM5hVSzCM")
