Toshiba wprowadziła do oferty nowe tranzystory super-junction N-MOSFET z serii DTMSOSVI. Elementy mają napięcie pracy 650 V.

Osiem nowych tranzystorów charakteryzują się bardzo dobrym parametrem FoM (Figure of Merit) czyli iloczynem rezystancji R_DS(ON) oraz ładunku bramki Q_G. Producent podaje, że wartość ta jest aż o 40% mniejsza niż dla poprzedniej generacji DTMOS. Dzięki temu tranzystory pozwalają projektantom osiągnąć sprawność przetwornicy impulsowej o około 0,36%, a więc zmniejszyć straty układu.

Nowe tranzystory są dostarczane w różnego rodzaju obudowach. Przykładowo, elementy TK110Z65Z, TK125V65Z, TK170V65Z i TK210V65Z zawierają dodatkowe wyprowadzenie Kelvina na źródle, co poprawia sterowanie oraz sprawność energetyczną. Elementy TK110N65Z i TK110Z65Z są dostępne w obudowach TO-247, natomiast TK110A65Z, TK155A65Z i TK190A65Z zamknięto we w pełni zaizolowanych obudowach TO-220SIS. Na koniec, tranzystory TK125V65Z, TK170V65Z oraz TK210V65Z są dostępne w obudowach DFN 8 x 8 mm montowanych powierzchniowo.

Więcej informacji na stronie firmy Toshiba.