Firma Toshiba wprowadziła do oferty nowy energooszczędny N-kanałowy tranzystor MOSFET SSM6N951L. Tranzystor oferuje napięcie pracy do 12 V i jest w zaimplementowany w układzie wspólnego drenu.

Tranzystor SSM6N951L jest przeznaczony zwłaszcza do obwodów zabezpieczających baterie wbudowanych w pakiety Li-Ion. Wyjątkowo niska rezystancja w stanie włączenia (maksymalnie 4,6 mΩ przy V_GS = 3,8 V), a także niski prąd upływu między bramką a źródłem (do 1 µA przy V_GS = 8 V) sprawiają, że tranzystor ma o wiele lepszą charakterystykę termiczną niż konkurencyjne produkty. Ma to ogromne znaczenie podczas pracy baterii i pozwala na rozwijanie rozwiązań o dużej gęstości upakowania oraz krótszym czasie ładowania. Zapewnia też większą niezawodność oraz dłuższy czas pracy.

Nowe MOSFETy są dostępne w niskoprofilowych obudowach TCSP6A-172101 o wymiarach 2,14 x 1,67 x 0,11 mm. Pozwala to na stosowanie elementów w nowoczesnych aplikacjach bateryjne na niewielkiej przestrzeni.

Więcej informacji na stronie SSM6N951L.