Izolowany sterownik bramki SiC MOSFET od STMicroelectronics

STMicroelectronics wprowadził do nowy, izolowany sterownik bramki z serii STGAP. Układ STGAP2SiCS bezpiecznie steruje tranzystorami MOSFET wykonanymi z węglika krzemu (SiC). Może być zasilany z wysokiego napięcia nawet do 1200 V.

Układ jest w stanie sterować tranzystor napięciem do 26 V i zawiera zabezpieczenie przed zbyt niskim napięciem (UVLO) na poziomie 15,5 V. Pozwala to spełnić warunki włączania tranzystorów SiC MOSFET. Gdy napięcie sterujące spada np. z powodu spadku napięcia zasilania, zabezpieczenie UVLO zapewnia wyłączenie MOSFETa. Pozwala to zapobiec nadmiernemu rozpraszaniu ciepła. Sterownik oferuje dwa piny wejściowe, co umożliwia ustawienie polaryzacji sygnału sterującego.

Sterownik oferuje izolację galwaniczną pomiędzy wejściem a wyjściem na poziomie 6 kV. Maksymalny prąd wyjściowy w obu kierunkach (tryb sink i source) wynosi 4 A. Pozwala to zastosować układy w aplikacjach konwerterów średniej i wysokiej mocy, zasilaczach, a także inwerterach. Można je wykorzystać w urządzeniach AGD, sterownikach przemysłowych, zasilaczach UPS, spawarkach, a także wielu innych.

Więcej informacji na stronie www.st.com/stdrive