08.06.2021
Nowy tranzystor mocy MOSFET od Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology wprowadził do oferty nowy tranzystor mocy MOSFET. Element SiSS52DN wykonano w technologii TrenchFET Gen V, oferuje napięcie pracy do 30 V, dużą gęstość mocy oraz sprawność energetyczną. Można go stosować w topologiach izolowanych oraz nieizolowanych.
Tranzystor oferuje rezystancję w stanie włączenia rzędu 0,95 mΩ przy 10 V i jest to poprawa o 5% względem poprzedniej generacji. Przy napięciu 4,5 V rezystancja wynosi 1,5 mΩ natomiast współczynnik FOM jest równy 29 mΩ*nC.
Więcej informacji na stronie http://www.vishay.com/ppg?79977
Unisystem i SoMLabs zacieśniają współpracę wzmacniając europejski rynek elektroniki 
Creotech Quantum zamierza skomercjalizować system kwantowej dystrybucji klucza w 2026 roku 
Procesory AMD Ryzen™ Embedded V3000 sercem przełączników Cisco N9300 oraz routerów z serii 8000 do obsługi obciążeń związanych z AI 
