08.06.2021
Nowy tranzystor mocy MOSFET od Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology wprowadził do oferty nowy tranzystor mocy MOSFET. Element SiSS52DN wykonano w technologii TrenchFET Gen V, oferuje napięcie pracy do 30 V, dużą gęstość mocy oraz sprawność energetyczną. Można go stosować w topologiach izolowanych oraz nieizolowanych.
Tranzystor oferuje rezystancję w stanie włączenia rzędu 0,95 mΩ przy 10 V i jest to poprawa o 5% względem poprzedniej generacji. Przy napięciu 4,5 V rezystancja wynosi 1,5 mΩ natomiast współczynnik FOM jest równy 29 mΩ*nC.
Więcej informacji na stronie http://www.vishay.com/ppg?79977
Scanway zwiększa przychody, inwestuje w zaplecze produkcyjne i zawiera nowe kontrakty 
Sieć Badawcza Łukasiewicz rozwija laboratoria przemysłu wysokich technologii 
Grupa Volkswagen i Uniwersytet Techniczny w Brunszwiku zacieśniają współpracę badawczą w dziedzinie sztucznej inteligencji i mobilności 
![Zapraszamy do obejrzenia filmu i wysłuchania krótkich wypowiedzi prelegentów Hardware Forum 2026 i organizatorów majowej konferencji dla inżynierów z branży elektronicznej: Konrad Bruliński z Lemontech, prof. Krzysztof Kulpa z Politechniki Warszawskiej, Zbigniew Huber z FLC, Ewa Załupska z firmy KROK, Jerzy Kozieł z MPTECH, Grzegorz Potyralski z VIGO Photonics, dr Krzysztof Czuba z Politechniki Warszawskiej, Anna Beata Kalisz Hedegaard z Quantum Security Defence, Adrian Cichosz z Elhurt Dystrybucja Anna Kamińska z Creotech Quantum, oraz Łukasz Jaeszke i Adam Jaeszke z TEK.day [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/05/tytulowe-film-1.png "https://www.youtube.com/watch?v=BgxJVTwYJ-s")
