08.06.2021
Nowy tranzystor mocy MOSFET od Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology wprowadził do oferty nowy tranzystor mocy MOSFET. Element SiSS52DN wykonano w technologii TrenchFET Gen V, oferuje napięcie pracy do 30 V, dużą gęstość mocy oraz sprawność energetyczną. Można go stosować w topologiach izolowanych oraz nieizolowanych.
Tranzystor oferuje rezystancję w stanie włączenia rzędu 0,95 mΩ przy 10 V i jest to poprawa o 5% względem poprzedniej generacji. Przy napięciu 4,5 V rezystancja wynosi 1,5 mΩ natomiast współczynnik FOM jest równy 29 mΩ*nC.
Więcej informacji na stronie http://www.vishay.com/ppg?79977
Intel inwestuje 5 mld EUR w rozbudowę produkcji w Europie 
ICEYE zakłada spółkę w Niemczech 
Infineon dostarcza technologię SiC firmie ADVANTICS 
![O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo")
