Tranzystor GaN-on-SiC HEMT Qorvo QPD0011 dla komunikacji 4G i 5G w ofercie Mouser

Mouser Electronics wprowadził do oferty tranzystory HEMT (high-electron mobility transistor) Qorvo QPD0011. Element wykonano w technologii GaN-on-SiC (arsenek galu na węgliku krzemu). Jest w stanie dostarczyć wymaganą moc i parametry pracy wymagane w komórkowych stacjach bazowych i innych aplikacjach radiokomunikacyjnych, takich jak 5G z massive MIMO, LTE oraz WCDMA.

QPD001 to asymetryczny, dwuścieżkowy wzmacniacz w miniaturowej obudowie DFN o wymiarach 7,0 x 6,5 mm. Może pracować w paśmie od 3,3 GHz do 3,6 GHz i oferuje wzmocnienie do 13,3 dB. Działa w układzie Doherty’ego.

Mouser wprowadził do oferty także płytkę rozwojową QPD0011EVB1 Evaluation Board. Platforma zawiera przykładowy układ aplikacyjny, co pozwala na szybką implementację elementów w istniejących projektach. QPD0011 można stosować w komórkowych stacjach bazowych, a także aktywnych systemach antenowych.

Więcej informacji na stronie https://pl.mouser.com/new/qorvo/qorvo-qpd0011-48v-gan-sic-hemt/