Tranzystor GaN-on-SiC HEMT Qorvo QPD0011 dla komunikacji 4G i 5G w ofercie Mouser
Mouser Electronics wprowadził do oferty tranzystory HEMT (high-electron mobility transistor) Qorvo QPD0011. Element wykonano w technologii GaN-on-SiC (arsenek galu na węgliku krzemu). Jest w stanie dostarczyć wymaganą moc i parametry pracy wymagane w komórkowych stacjach bazowych i innych aplikacjach radiokomunikacyjnych, takich jak 5G z massive MIMO, LTE oraz WCDMA.
QPD001 to asymetryczny, dwuścieżkowy wzmacniacz w miniaturowej obudowie DFN o wymiarach 7,0 x 6,5 mm. Może pracować w paśmie od 3,3 GHz do 3,6 GHz i oferuje wzmocnienie do 13,3 dB. Działa w układzie Doherty’ego.
Mouser wprowadził do oferty także płytkę rozwojową QPD0011EVB1 Evaluation Board. Platforma zawiera przykładowy układ aplikacyjny, co pozwala na szybką implementację elementów w istniejących projektach. QPD0011 można stosować w komórkowych stacjach bazowych, a także aktywnych systemach antenowych.
Więcej informacji na stronie https://pl.mouser.com/new/qorvo/qorvo-qpd0011-48v-gan-sic-hemt/
Intel inwestuje 5 mld EUR w rozbudowę produkcji w Europie 
ICEYE zakłada spółkę w Niemczech 
Infineon dostarcza technologię SiC firmie ADVANTICS 
![O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo")
