Microchip wprowadził do oferty nowy dwukanałowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET z węgliku krzemu (SiC). Napięcie znamionowe sterownika 2ASC-12A2HP wynosi 1200 V. Układ służy do sterowania tranzystorów SiC w układach zasilania dużej mocy m.in. w autobusach elektrycznych.
W celu zapewnienia bezpiecznej pracy, sterownik zapewniają kilka poziomów kontroli oraz wyższy poziom bezpieczeństwa elementów. W porównaniu do klasycznych sterowników, układy są w stanie tłumić przeregulowania napięcia Vds o ok. 80%, co z kolei pozwala ograniczyć straty o prawie 50% Sterownik jest w stanie obsłużyć prąd szczytowy do 10 A w obu kierunkach i zawiera izolowany konwerter DC/DC z barierą izolacyjną o niskiej pojemności dla sygnałów PWM oraz sygnały błędów.
Więcej informacji na stronie: https://www.microchip.com/en-us/products/power-management/silicon-carbide-sic-devices-and-power-modules/digital-programmable-gate-drivers
