Toshiba Electronics Europe wprowadziła do oferty cztery nowe tranzystory mocy MOSFET z superzłączem. Elementy są przeznaczone do aplikacji przemysłowych, zasilaczy do oświetlenia, a także innych zastosowań wymagających wysokiej sprawności energetycznej oraz niewielkich wymiarów.

Tranzystory MOSFET TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z oraz TK190E65Z oferują 40% niższy iloczyn rezystancji dren-źródło w stanie włączenia (R_DSON) oraz ładunku bramka-dren (Qgd) (tzw. parametr Figure of Merit, FoM). Oznacza to znaczące zmniejszenie strat przełączania, a więc implementacja nowych elementów pozwala na wzrost sprawności energetycznej systemu.

Wszystkie cztery układy mają napięcie znamionowe V_DDS na poziomie 650 V oraz wydajność prądową rzędu 30 A. Rezystancja R_DSON wynosi 0,09 Ω, natomiast ładunek Q_dg jest rzędu 7,1 nC. Tranzystory są dostępne w obudowach TO-220.

Więcej informacji na stronach produktów: TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z, TK190E65Z