Źródło: STMicroelectronics

Nowa pamięć Page EEPROM firmy STMicroelectronics łączy energooszczędność i trwałość pamięci EEPROM z pojemnością i szybkością pamięci Flash. Można więc powiedzieć, że mamy do czynienia z pamięcią hybrydową. Znajdzie ona zastosowania w aplikacjach, w których obowiązują ekstremalne ograniczenia rozmiaru i mocy.

Nowe pamięci stanowią odpowiedź na rosnące zapotrzebowanie na pamięć masową w aplikacjach wbudowanych, potrzebną do obsługi coraz bardziej zaawansowanych funkcji i uruchamiania algorytmów edge-AI wymagających dużej ilości danych. Jednym z przykładów są zauszne aparaty słuchowe.

Oprócz urządzeń przenośnych, pamięć Page EEPROM jest idealna do zastosowań takich jak urządzenia medyczne, urządzenia do śledzenia zasobów, rowery elektryczne, a także inne produkty przemysłowe i konsumenckie.

– Inteligentne urządzenia brzegowe ewoluowały szybko i głęboko zmieniają wymagania dotyczące gęstości pamięci wbudowanej, wydajności i zużycia energii – powiedział Philippe Ganivet, menedżer linii produktów EEPROM STMicroelectronics –Nasza nowa pamięć EEPROM Page jest idealną pamięcią o bardzo niskim poborze mocy, uzupełniającą mikrokontroler dla zdalnych modułów IoT, które działają na zasilaniu bateryjnym.

Pamięć Page EEPROM (STMicroelectronics)

– Page EEPROM firmy ST to idealna pamięć nieulotna, prawdziwe rozwiązanie najlepsze z obu światów, które pozwoliło nam osiągnąć ambitne cele, jakie wyznaczyliśmy sobie podczas tworzenia najnowszej generacji naszej flagowej rodziny produktów do trackerów GPS, urządzeń IoT i wszystkich innych projektów, w których wymagana jest wysoka wydajność, wysoka niezawodność, mały rozmiar i niskie zużycie energii – powiedział Patrick Kusbel, właściciel BitFlip Engineering, jednego z pierwszych klientów korzystających z nowych pamięci. – M95P jest do 50 razy szybsza, a jednocześnie zużywa zaledwie jedną dziesiątą energii i zapewnia pięciokrotnie większą niezawodność – przy 500 tys. zapisów w porównaniu do 100 tys. zapisów – typową dla innych części, których używaliśmy wcześniej. Zmienia to zasady gry.

W rodzinie Page EEPROM firmy ST oferowane są gęstości 8 Mbitów, 16 Mbitów i 32 Mbitów, znacznie zwiększając ten parametr w porównaniu ze standardowymi pamięciami EEPROM. Wbudowane inteligentne zarządzanie stronami umożliwia operacje zapisu na poziomie bajtów. Jest to więc idealne rozwiązanie w takich zastosowaniach jak rejestrowanie danych. Pamięci jednocześnie obsługują kasowanie stron/sektorów/bloków i programowanie stron do 512 bajtów. Pozwala to na wydajną obsługę aktualizacji oprogramowania układowego drogą radiową (OTA). Pamięci umożliwiają również ładowanie buforowe, które może zaprogramować kilka stron jednocześnie przyczyniając się do skrócenia czasu ładowania oprogramowania w produkcji. Prędkość odczytu danych wynosząca 320 Mbit/s jest około 16 razy większa niż w przypadku standardowej pamięci EEPROM, a wytrzymałość na zapis wynosząca 500000 cykli jest kilkakrotnie wyższa niż w przypadku konwencjonalnej szeregowej pamięci Flash.

Dzięki nowatorskiej kontroli prądu szczytowego, Page EEPROM minimalizuje szumy zasilania i wydłuża czas pracy urządzeń zasilanych bateryjnie. Prąd zapisu jest niższy niż w przypadku wielu konwencjonalnych pamięci EEPROM, a ponadto dostępny jest tryb głębokiego wyłączenia z szybkim wybudzeniem, który zmniejsza prąd do wartości poniżej 1 µA.

Długowieczność jest zapewniona dzięki 100-letniej retencji danych. Urządzenia są objęte 10-letnim programem długowieczności produktów ST, który gwarantuje długoterminową dostępność produktu.

Do nauki obsługi pamięci Page EEPROM została opracowana płytka rozszerzeń X-NUCLEO-PGEEZ1 i pakiet oprogramowania X-CUBE-EEPRMA1, które są już dostępne. Oprogramowanie zawiera aplikację demonstracyjną, która pokazuje, jak przetestować hybrydową architekturę pamięci i poznane metody szybko zastosować we własnych projektach.