Infineon wprowadza do produkcji pierwsze tranzystory mocy MOSFET do zastosowań kosmicznych

Nowe tranzystory mocy MOSFET z kanałem typu P Infineona znajdą zastosowanie w urządzeniach satelitarnych pracujących na niskiej orbicie okołoziemskiej (LEO). Nowe urządzenia są częścią rozszerzającego się portfolio firmy Infineon przeznaczonego do zastosowań nowej generacji „NewSpace”. Elementy tej grupy mają odporność na promieniowanie pozwalające na stosowanie ich w misjach trwających od dwóch do pięciu lat.

– Pomyślne wdrożenie konstelacji satelitów LEO nowej generacji i innych systemów kosmicznych wymaga odpornych na promieniowanie elementów dyskretnych i układów scalonych o czasie realizacji i wielkości produkcji, które umożliwiają szybkie wdrożenie i optymalizację kosztów. Infineon wykorzystuje swoje 50-letnie dziedzictwo kosmiczne przy wprowadzaniu pierwszego w branży portfolio wydajnych i niezawodnych urządzeń zasilających do tego dynamicznego sektora biznesu – powiedział Chris Opoczynski, Sr. VP. wiceprezes i dyrektor generalny, High Reliability (HiRel) Business, Power and Sensor Systems Division, Infineon.

Nowy 60-woltowy MOSFET z kanałem P uzupełnia dostępne już tranzystory 60 V i 150 V z kanałem N. Wszystkie oferowane elementy występują w plastikowych obudowach, które są tańsze niż tradycyjne hermetyczne obudowy stosowane w urządzeniach odpornych na promieniowanie i mogą być produkowane w większych ilościach przy użyciu standardowych procesów produkcyjnych. Odporne na promieniowanie układy dyskretne są kwalifikowane do zastosowań kosmicznych zgodnie z odpowiednimi testami standardu AEC-Q101. Dodatkowe testy obudów, takie jak testy gazów wylotowych i zasolonej atmosfery, są częścią kwalifikacji i są oceniane pod kątem efektów pojedynczego zdarzenia (SEE) przy 46 MeV∙cm²/mg LET i całkowitej dawce jonizującej (TID) od 30 do 50 krad (Si). Temperatura pracy wynosi od -55°C do 175°C (maksymalnie). Najnowocześniejsza opatentowana technologia super złącza CoolMOS™ zastosowana w tranzystorach MOSFET z kanałem N, umożliwia tranzystorom polowym (FET) firmy Infineon uzyskanie szybkiego przełączania porównywalnego z rozwiązaniami alternatywnymi.

Źródło: informacje prasowe