07.09.2018
Podwójny tranzystor N-MOSFET produkcji Diotec w ofercie Rutronik
Układ MMBT7002DW zawiera dwa niezależna tranzystory N-MOSFET z krótkimi czasami przełączenia w obudowie SOT-363.
Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi 60 V, a prąd drenu wynosi 115 mA. Każdy tranzystor może być sterowany sygnałem o poziomie logicznym 5 V. Rezystancja statyczna w stanie włączenia wynosi 7,5 Ω, a czas włączenia – 20 ns. Układ MMBT7002DW charakteryzuje się niewielkimi wymiarami – 2,0 x 2,1 mm. Może być stosowany w układach przetwarzania sygnału, konwerterach poziomów logicznych i sterownikach.
Układ MMBT7002DW jest zgodny z RoHS oraz REACH.
Dostępny jest w sklepie Rutronik24.com.
Szybkozłącza Stäubli do chłodzenia elektroniki dostępne w Semicon 
Infineon ma umowę z firmą Wolfspeed na dostawę płytek z węglika krzemu o średnicy 200 mm 
TRUMPF odnotowuje wzrost zysku i liczby zamówień. Globalny popyt na półprzewodniki i centra danych napędza biznes 
![O wybranych projektach realizowanych w Laboratorium Zakładu Układów Mikrofalowych – ISE PW opowiadają: mgr inż. Michał Kalisiak, dr hab. inż. Arkadiusz Lewandowski, mgr inż. Andžej Šerlat oraz dr hab. inż. Krzysztof Czuba. Zapraszamy na firm [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/09/WEiTI-PW-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=QSnLO-KmBMY")
![O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo")
