Kompaktowe tranzystory N-MOSFET Toshiba do układów zasilanych bateryjnie
Firma Toshiba wprowadziła do oferty nowy energooszczędny N-kanałowy tranzystor MOSFET SSM6N951L. Tranzystor oferuje napięcie pracy do 12 V i jest w zaimplementowany w układzie wspólnego drenu.
Tranzystor SSM6N951L jest przeznaczony zwłaszcza do obwodów zabezpieczających baterie wbudowanych w pakiety Li-Ion. Wyjątkowo niska rezystancja w stanie włączenia (maksymalnie 4,6 mΩ przy VGS = 3,8 V), a także niski prąd upływu między bramką a źródłem (do 1 µA przy VGS = 8 V) sprawiają, że tranzystor ma o wiele lepszą charakterystykę termiczną niż konkurencyjne produkty. Ma to ogromne znaczenie podczas pracy baterii i pozwala na rozwijanie rozwiązań o dużej gęstości upakowania oraz krótszym czasie ładowania. Zapewnia też większą niezawodność oraz dłuższy czas pracy.
Nowe MOSFETy są dostępne w niskoprofilowych obudowach TCSP6A-172101 o wymiarach 2,14 x 1,67 x 0,11 mm. Pozwala to na stosowanie elementów w nowoczesnych aplikacjach bateryjne na niewielkiej przestrzeni.
Więcej informacji na stronie SSM6N951L.
Polska i Niemcy wzmacniają współpracę kolejową. Impuls dla rozwoju transgranicznej mobilności i sieci kolei dużych prędkości w UE 
Imec przedstawia 7-bitowy przetwornik analogowo-cyfrowy typu slope o częstotliwości 175 GS/s z masywnym przeplotem czasowym 
Grupa Volkswagen osiągnęła globalny kamień milowy – wyprodukowała 5 mln napędów elektrycznych 
![Piata już edycja konferencji Hardware Design Masterclasses dla elektroników zaskoczyła frekwencją, tym bardziej, że spotkanie było dwudniowe. Film jest krótką relacją z wydarzenia, bazującą na wypowiedziach prelegentów. [materiał redakcyjny] Zapraszamy do obejrzenia!](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/01/Rafal-tytulowe.png "https://www.youtube.com/watch?v=kmvM5hVSzCM")
