KIOXIA wprowadza urządzenia z wbudowaną pamięcią flash QLC UFS 4.1 dla rozwiązań mobilnych
KIOXIA rozpoczęła próbkowanie nowych wbudowanych urządzeń pamięci Universal Flash Storage[1] (UFS) Ver. 4.1 z czteropoziomową komórką (QLC). Zostały zaprojektowane z myślą o aplikacjach wymagających intensywnego odczytu i pamięci masowej o dużej pojemności. Zasilane są przez 8. generację technologii pamięci flash BiCS FLASHTM 3D.

Universal Flash Storage, wersja 4.1 | źródło: Kioxia
Technologia QLC UFS oferuje większą gęstość bitową niż tradycyjna TLC UFS, dzięki czemu nadaje się do zastosowań mobilnych, które wymagają większej pojemności pamięci do przechowywania danych. Znacząco zwiększa szybkość zapisu o 25%, szybkość odczytu losowego o 90% i szybkość zapisu losowego o 95%, w porównaniu z poprzednią generacją (UFS 4.0 / BiCS6 QLC UFS)[2]. Współczynnik zwielokrotniania zapisu (WAF) również uległ poprawie maksymalnie o 3,5× (przy wyłączonej funkcji WriteBooster).
Wiele zastosowań Universal Flash Storage 4.1
Pamięć nadaje się do smartfonów i tabletów, a także innych nowych zastosowań, w których kluczowe znaczenie ma większa pojemność i wydajność – w tym komputerów PC, sieci, AR/VR, IoT i urządzeń wykorzystujących AI.
- Zgodność ze specyfikacją UFS 4.1. Wersja UFS 4.1 jest wstecznie kompatybilna z UFS 4.0 i UFS 3.1.
- Pamięć flash BiCS FLASH™ 3D 8. generacji firmy KIOXIA
- Obsługa WriteBooster umożliwia znacznie szybsze prędkości zapisu.
- Mniejszy rozmiar obudowy w porównaniu z wcześniejszymi wersjami QLC UFS: 11×13 mm → 9×13 mm
Nowe urządzenia UFS 4.1, dostępne w wersjach o pojemności 512 gigabajtów (GB) i 1 terabajta (TB), łączą w sobie innowacyjną pamięć flash BiCS FLASHTM 3D i sterownik w pojedynczej obudowie zgodnej ze standardem JEDEC. W 8. generacji pamięci flash BiCS FLASHTM 3D firmy KIOXIA wprowadzono technologię CBA (CMOS directly bonded to Array), czyli innowację pod względem architektury, która stanowi ważny krok w projektowaniu pamięci flash.
– W KIOXIA skupiamy swoje działania na innowacjach w zakresie pamięci flash, aby reagować na rosnące wymagania pod względem pojemności i wydajności. W przypadku QLC UFS 4.1 najnowsze postępy w architekturze i konstrukcji przekładają się w praktyce na pojemności, które pomagają naszym klientom odpowiadać na coraz bardziej złożone i zróżnicowane przypadki zastosowań mobilnych i połączonych z siecią – mówi Axel Störmann, wiceprezes i dyrektor ds. technologii pamięci wbudowanych i dysków SSD, KIOXIA Europe GmbH.
[1] – UFS (Universal Flash Storage) to kategoria obejmująca klasę produktów z wbudowaną pamięcią skonstruowanych zgodnie ze specyfikacją standardu JEDEC UFS. Dzięki wykorzystaniu interfejsu szeregowego UFS obsługuje pełny dupleks, co umożliwia równoczesny odczyt i zapis pomiędzy procesorem hosta a urządzeniem UFS. [2] – Produkt o pojemności 512 GB, gdy włączona jest funkcja WriteBooster

Półprzewodniki – podsumowanie roku 2025 i prognozy na rok 2026 – według Grzegorza Kamińskiego
KIOXIA wysyła próbne egzemplarze układów z wbudowaną pamięcią Flash zgodnych z UFS wer. 4.1 do zastosowań motoryzacyjnych
KIOXIA przedstawia pierwszy w branży dysk SSD NVMe o pojemności 245,76 TB 


![https://www.youtube.com/watch?v=kmvM5hVSzCM Piata już edycja konferencji Hardware Design Masterclasses dla elektroników zaskoczyła frekwencją, tym bardziej, że spotkanie było dwudniowe. Film jest krótką relacją z wydarzenia, bazującą na wypowiedziach prelegentów. [materiał redakcyjny] Zapraszamy do obejrzenia!](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/01/Rafal-tytulowe.png)


