Innoscience ma prawo do importu i sprzedaży w Stanach Zjednoczonych pomimo roszczeń patentowych firmy Infineon

Firma Innoscience ogłosiła, że Amerykańska Komisja Handlu Międzynarodowego (ITC) wydała ostateczną decyzję w sprawie nr 337‑TA‑1414, potwierdzającą, że obecne urządzenia mocy firmy Innoscience wykonane z azotku galu (GaN) nie naruszają patentów firmy Infineon i mogą być nadal importowane i sprzedawane w Stanach Zjednoczonych bez ograniczeń.

Źródło: Innoscience

Pełna komisja potwierdziła ustalenia sędziego administracyjnego dotyczące braku naruszenia patentu USA nr 9,070,755 oraz potwierdziła, że przeprojektowane produkty firmy Innoscience – obecnie wchodzące w skład jej aktualnej oferty handlowej – nie wchodzą w zakres patentu USA nr 9,899,481. Komisja unieważniła również cztery dodatkowe zastrzeżenia patentu ’481.

Jedynie dwa zastrzeżenia patentu nr 481 uznano za ważne i naruszone, i to wyłącznie w odniesieniu do starszych produktów, które nie są już produkowane ani sprzedawane. W rezultacie związany z tym zakaz importu nie ma praktycznego wpływu na działalność firmy Innoscience w Stanach Zjednoczonych. Firma Innoscience będzie nadal bez zakłóceń dostarczać swoje istniejące produkty zasilające GaN klientom w Stanach Zjednoczonych i na całym świecie.

Firma Innoscience zwróciła się również z powodzeniem do Urzędu Patentów i Znaków Towarowych Stanów Zjednoczonych o wszczęcie postępowania w sprawie pozostałych dwóch zastrzeżeń i jest przekonana, że zostaną one również unieważnione.

Ostateczna decyzja ITC potwierdza, że produkty Innoscience są wynikiem niezależnych innowacji. Według firmy decyzja ITC stanowi całkowitą porażkę próby Infineon mającej na celu stłumienie legalnej konkurencji poprzez bezpodstawne postępowania sądowe.

Źródło: Innoscience

Firma Innoscience została założona 17 grudnia 2015 r. z zamiarem stworzenia największego na świecie zakładu produkcyjnego oraz zintegrowanego producenta półprzewodników (IDM) w pełni skoncentrowanego na technologii GaN. Od samego początku skupiała się na płytkach o średnicy 8 cali. Dzisiaj, dzięki dwóm fabrykom płytek GaN-on-Si, jest największym zakładem produkcyjnym i zintegrowanym producentem półprzewodników (IDM) na świecie. Projektuje i opracowuje wysokowydajne urządzenia GaN do szerokiego zakresu zastosowań i napięć (od 15 V do 1200 V). Jej rozwiązania obejmują płytki półprzewodnikowe, elementy dyskretne, dwukierunkowe układy GaN oraz układy scalone mocy, które nadają się do szerokiego zakresu zastosowań o mocy od 20 W do 20 kW. Produkuje 10 000 płytek miesięcznie i stale zwiększa swoje moce produkcyjne. Do inwestorów firmy należą: CMB International, SK, ARM i CATL.