Mouser wprowadził do oferty nowy zestaw rozwojowy firmy GaN Systems. Zestaw GS-EVB-HB-0650603B-HD zawiera układ sterownika dwubiegunowego w układzie półmostka. Zestaw zawiera dwa sterowniki HEY1011-L12C przeznaczone dla tranzystorów GaN FET w konfiguracji półmostka. HEY1011 to izolowany […]
Tag: GaN
Nowe produkty Teledyne LeCroy do pomiarów elementów GaN i SiC
Teledyne LeCroy wprowadził do oferty nową sondę oscyloskopową 1 GHz izolowaną optycznie, a także oprogramowanie badawcze Power-Device. W połączeniu z oscyloskopami wysokiej klasy HDO pozwalają na precyzyjny pomiar charakterystyki układów opartych o Azotek galu (GaN) […]
Farnell poszerza swoją ofertę produktów marki Power Integrations wprowadzając serię InnoSwitch3
Farnell rozbudował swoją ofertę wyrobów marki Power Integrations, wprowadzając do niej układy scalone serii InnoSwitch3, w której zastosowano technologię PowiGaN. Rozbudowana oferta zwiększa liczbę rozwiązań opartych o półprzewodniki GaN dostępnych w firmie Farnell. Wspiera to […]
Nowe układy GaN z oferty STMicroelectronics
STMicroelectronics wprowadził do oferty nowe układy wysokiej mocy wykonane z arsenku galu (GaN) – MasterGaN3 oraz MasterGaN5. Układy pozwalają na łatwą implementację technologii półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej zapewniającej wysoką sprawność układu. Nowe produkty mogą […]
Nexperia wprowadza do oferty efektywne tranzystory GaN FET
Nexperia wprowadza do oferty tranzystory FET zbudowane z azotku galu (GaN). Pierwsze elementy z tej serii to GAN063-650WSA oferujące napięcie do 650 V, napięcie bramka-źródło (VGS) z zakresu +/- 20 V oraz temperaturą pracy od […]
Digi-Key dystrybutorem produktów Navitas Semiconductor
Dystrybutor elementów elektronicznych, Digi-Key Electronics, ogłosił podpisania umowy z Navitas Semiconductor na dystrybucję układów mocy GaNFast. Układy mocy GaNFast umożliwiają zasilanie systemów i jednoczesne osiągnięcie częstotliwości megahercowych oraz najwyższej wydajności. Dzięki temu możliwe jest zaprojektowanie […]