Nowe moduły dużej mocy XHP™ 2 CoolSiC™ firmy Infineon zwiększają wydajność i gęstość mocy w systemach energetycznych wysokiego napięcia

Infineon Technologies AG rozszerza swoją ofertę modułów mocy XHP™ 2 o nowe warianty z tranzystorami MOSFET CoolSiC™ 2300 V, przeznaczone do systemów elektroenergetycznych wysokiego napięcia. Nowe tranzystory klasy 2300 V pracują w obwodach prądu stałego (DC) do 1500 V, co odpowiada panującemu w branży trendowi polegającego na zwiększaniu napięć systemowych. Moduły są dostępne w kilku wariantach, zapewniających rezystancje przewodzenia (RDS(on)) w zakresie od 1 mΩ do 2 mΩ oraz napięcia izolacji 4 kV lub 6 kV. Dzięki zastosowaniu technologii węglika krzemu (SiC) tranzystory te zmniejszają zarówno straty przełączania, jak i przewodzenia w porównaniu z konwencjonalnymi rozwiązaniami opartymi na krzemie. Dzięki temu falowniki mogą osiągnąć wyższą sprawność i gęstość mocy lub pracować z wyższymi częstotliwościami przełączania, co z kolei pozwala na redukcję harmonicznych i zmniejszenie rozmiaru systemu. Nowe moduły MOSFET XHP 2 CoolSiC doskonale nadają się do zastosowań w energetyce odnawialnej, w tym w systemach wiatrowych, fotowoltaicznych i magazynowania energii.

Moduły zaimplementowane w obudowie XHP 2, charakteryzują się symetrycznym przełączaniem, co ułatwia łączenie ich równolegle w dużych przetwornicach mocy, zapewnia także znormalizowaną platformę, która umożliwia projektantom zrównoważenie sprawności i wydajności zgodnie z wymaganiami aplikacji. We wszystkich wariantach zastosowano sprawdzoną technologię połączeń .XT firmy Infineon, zwiększającą niezawodność i wydłużającą żywotność. Moduły są również dostępne z fabrycznie nałożonym materiałem termoprzewodzącym, co upraszcza montaż, zapewniając jednocześnie stałą wydajność termiczną.

Korzyści

Cechy te przekładają się na wymierne korzyści na poziomie systemu. W demonstracyjnym systemie energetyki wiatrowej osiągnięto gęstość mocy na poziomie 300 kW/l, natomiast testy systemów magazynowania energii wykazały straty półprzewodników poniżej 0,7% mocy wyjściowej. Dzięki rozszerzeniu portfolio firma Infineon wspiera skalowalne rozwiązania dla systemów zasilania wysokonapięciowego nowej generacji w szerokim zakresie zastosowań związanych z energią odnawialną.

Dostępność

Moduły MOSFET XHP 2 CoolSiC o napięciu znamionowym 2300 V, FF1000UXTR23T2M1, FF1300UXTR23T2M1, FF2000UXTR23T2M1 oraz FF1000UXTR23T2M1_B5 są już dostępne w firmie Infineon i u jej partnerów dystrybucyjnych.

Źródło: informacje prasowe