Nowe pamięci nvSRAM w ofercie Cypress Semiconductor

Firma Cypress Semiconductor wprowadziła do swojej oferty nowe pamięci nieulotne SRAM (nvSRAM ang. non-volatile Static Random Access Memory) z interfejsem szeregowym. Komunikacja z pamięcią odbywa się poprzez interfejsy szeregowe SPI lub I2C. Nowe układy mogą pracować z częstotliwościami do 104MHz w przypadku interfejsu SPI oraz do 3.4 MHz dla urządzeń z interfejsem I2C. Dodatkowo układy pamięci mogą być wyposażone w zegar czasu rzeczywistego RTC, który może zostać wykorzystany do wprowadzania znaczników czasowych do danych przechowywanych w pamięci.

Układy firmy Cypress są produkowane w technologii SONOS (ang. Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon), dzięki czemu są szybkie i niezawodne. Technologia SONOS jest kompatybilna z CMOS przewyższa ją jednak pod względem trwałości oraz niskiego poboru prądu. Tego typu układy znajdują zastosowanie wszędzie tam gdzie wymagane jest bezwzględne bezpieczeństwo zapisywanych danych. Pamięci pozwalają na nieograniczoną liczbę operacji odczytu/zapisu (READ/WRITE) oraz przywrócenia pamięci (RECALL). Liczba operacji zachowania danych w pamięci nieulotnej jest ograniczona do miliona operacji typu STORE, co zakładając pięciokrotny zapis do pamięci nieulotnej w ciągu dnia, daje 500 lat poprawnej pracy. Dane po odłączeniu zasilania są bezpiecznie przechowywyane do 20 lat.

Dostępne są układy o pojemnościach 1 Mb, 512 kb, 256 kb i 64 kb, w obudowach 8 SOIC oraz 16 SOIC. Napięcie pracy układów zawiera się w przedziale 2,7-3,6 V.

Szczegółowe informacje: www.cypress.com/go/nvsram