Rok po zaprezentowaniu precyzyjnych radarów fal milimetrowych CMOS (serie AWRx i IWRx), Texas Instruments ogłasza wprowadzenie do masowej produkcji zintegrowanych, szerokopasmowych układów AWR1642 i IWR1642. Radary obsługują częstotliwości w paśmie 76…81 GHz i pozwalają na […]
Tag: CMOS
Pierwsze czujniki wysokiej rozdzielczości pracujące w bliskiej podczerwieni
Firma ON Semiconductor wprowadziła pierwsze czujniki obrazu CMOS wykorzystujące autorską technologię Near Infra-Red+ (NIR+), która łączy zalety technologii HDR z poprawioną wydajnością w warunkach słabego oświetlenia. Dzięki temu pozwala uzyskać lepsze parametry w wysokiej klasy […]
Nowy czujnik obrazu dla sieciowych kamer bezpieczeństwa 4K
Firma Renesas Electronics, dostawca układów półprzewodnikowych, przedstawiła nowy czujnik obrazu CMOS o wysokiej czułości i wysokiej rozdzielczości 8,48 megapiksela. Układ o nazwie RAA462113FYL jest przeznaczony dla kamer wideo pracujących w rozdzielczości 4K. Jest to uzupełnienie […]
Wytwarzanie układów CMOS 5 nm przy użyciu bloków z nanorurek
Publikacje z konferencji IEDM 2016 przedstawiają nowe rozwiązania problemów wydajności i redukcji pojemności pasożytniczych. Leti, instytut wchodzący w skład CEA Tech, zademonstrował podczas konferencji IEDM 2016 wyniki badań nad możliwością stworzenia konkurencyjnych układów o wymiarze […]
Nowe rozwiązanie Silicon Labs dla przekaźników półprzewodnikowych (SSR)
Firma Silicon Labs wprowadziła serię innowacyjnych izolowanych sterowników tranzystorów polowych (FET) opartych na technologii CMOS. Są to sterowniki, które pozwalają projektantom wybrać masowo produkowane i dedykowane różnym zastosowaniom tranzystory FET, aby zastąpić stare przekaźniki elektromechaniczne […]
Nowy CMOS SRAM firmy Alliance Memory
Firma Alliance Memory poszerzyła swoją ofertę o nowy model energooszczędnego SRAM-u o pojemności 32 Mbitów. Pamięć AS6C3216 przeznaczona jest przede wszystkim do systemów wymagających energooszczędności.
Najmniejsza rezystywna komórka pamięci RAM bazująca na strukturze HfO2
Europejski instytut badawczy IMEC zaprezentował najmniejszą na świecie, w pełni funkcjonalną, rezystywną komórkę pamięci RAM (RRAM), bazującą na strukturze HfO2, o powierzchni mniejszej niż 10 x 10 nm?.
Niskonapięciowe układy CMOS dla urządzeń z wymienialnymi modułami
Firma Toshiba zaprezentowała układy TC74LCXZ oraz TC74LCXZA stanowiące rozszerzenie rodziny niskonapięciowych produktów CMOS ogólnego przeznaczenia. Są to trójstanowe bufory odwracające i nieodwracające.
Seria TL – tanie TCXO o wydłużonym okresie działania
Firma TAITEN Electronics wprowadziła niewielkie oscylatory krystaliczne o wydłużonej żywotności i z kompensacją temperatury (TCXO) – serię TL.
Podstawy bezpośredniej syntezy cyfrowej (DDS)
Jednym z najpopularniejszych sposobów generowania sygnałów o dowolnych kształtach jest metoda bezpośredniej syntezy cyfrowej DDS. W opracowaniu przedstawiono teoretyczne podstawy tej metody wraz z praktycznymi przykładami jej implementacji.