Nowe pamięci FRAM wykonane w procesie technologicznym 0,18 µm

Firma Fujitsu Semiconductor Europe oferuje próbki pamięci FRAM wykonane w procesie technologicznym 0,18 µm. Jest to końcowy etap procesu migracji Fujitsu z technologii 0,35 do 0,18 µm, który pozwolił uzyskać układy pamięci FRAM w tej samej obudowie co pamięci typu EEPROM, a więc w obudowie 8-SOP. FRAM łączy zaletę szybkiego zapisu i odczytu danych (dostęp w czasie porównywalnym do układów SRAM) z nieulotnością zapisanych w pamięci informacji (podobnie jak pamięci typu Flash) w jednym urządzeniu.

Nowa rodzina pamięci FRAM nosi nazwę MB85RSxxx i zawiera trzy urządzenia: MB85RS256A, MB85RS128A i MB85RS64A. Oferują one pojemność zapisu odpowiednio na poziomie 256 Kbit, 128 Kbit i 64 kbit. Wszystkie układy pracują w zakresie napięć od 3,0 do 3,6 V. Częstotliwość pracy pamięci została ustalona na 25 MHz. Nowe układy pamięci firmy Fujitsu charakteryzują się żywotnością na poziomie 10 miliardów cykli zapisu/odczytu, a także są w stanie utrzymywać dane przez 10 lat w temperaturze 55ºC. Układy zostały wyposażone w interfejs komunikacyjny SPI.

Ze względu na wysoką wydajność pamięci FRAM w porównaniu do klasycznych pamięci EEPROM i ich wzajemnej kompatybilności wyprowadzeń, układy firmy Fujitsu nadają się znakomicie jako zamiennik dla stosowanych dotychczas pamięci EEPROM.