Projektowanie systemów cyfrowych z wykorzystaniem izolatorów
Tab. 1. Przegląd samodzielnych i przeznaczonych do określonych zastosowań izolatorów
Charakterystyki przełączania dla Vcc1 = Vcc2 = 5 V | |||||||
Typ izolatora | ISO | Próg wejściowy | Przepus- towość [Mbps] |
Maksymalne opóźnienie propagacji [ns] | Wahania zegara między kanałami [ns] | Typowy czas narastania [ns] | |
Single | 721/722 | TTL | 100 | 24 | – | 1 | |
M | CMOS | 150 | 16 | – | 1 | ||
Dual | 7220/7221 | A | TTL | 1 | 457 | 15 | 1 |
B | 5 | 70 | 3 | 1 | |||
C | 25 | 42 | 1 | 1 | |||
M | CMOS | 150 | 16 | 1 | 1 | ||
Triple | 7230/7231 | A | TTL | 1 | 95 | 2 | 2 |
C | 25 | 42 | 2 | 2 | |||
M | CMOS | 150 | 23 | 1 | 2 | ||
Quad | 7240, 7241, 7242 | A | TTL | 1 | 95 | 2 | 2 |
C | 25 | 42 | 2 | 2 | |||
M | CMOS | 150 | 23 | 1 | 2 | ||
7240 | CF | TTL | 25 | 42 | 2 | 2 | |
RS-485 Half Duplex | 3082 | TTL | 0.2 | 1.3 (XTR) | – | 900 (XTR) | |
125 (RCV) | (RCV) | ||||||
15 | TTL | 1 | 340 (XTR) | – | 185 (XTR2) | ||
100 (RCV) | 2 (RCV) | ||||||
3088 | TTL | 20 | 45 (XTR) | – | 7 (XTR1) | ||
125 (RCV) | 1 (RCV) | ||||||
RS-485 Full Duplex | 3080 | TTL | 0.2 | 1.3 (XTR) | – | 900 (XTR) | |
125 (RCV) | (RCV) | ||||||
35 | TTL | 1 | 340 (XTR) | – | 185 (XTR2) | ||
100 (RCV) | 2 (RCV) | ||||||
3086 | TTL | 20 | 45 (XTR) | – | 7 (XTR1) | ||
125 (RCV) | 1 (RCV) | ||||||
Profibus Half-\Duplex | 1176 | – | 40 | 40 (XTR) | 1 | 3 (XTR) | |
55 (RCV) | 2 (RCV) |
Spośród pięciu klas szybkości izolatorów, A, B, C, CF oraz M, tylko wersje A, B, C i CF zawierają wewnętrzne dolnoprzepustowe filtry szumów na wejściach danych i z tego powodu zaleca się ich stosowanie w środowiskach pełnych zakłóceń. Wersja M, charakteryzująca się wysoką szybkością, wymaga zewnętrznego filtru wejściowego podczas stosowania w środowisku, w którym występują zakłócenia. Można to osiągnąć poprzez włączenie kondensatora między wejście a masę odpowiedniego urządzenia. Wartość pojemności można określić ze wzoru Cf = 1/(2π fmax x Rs), gdzie fmax to maksymalna częstotliwość sygnału, a Rs jest impedancją wyjściową jego źródła.
Projektowanie płytki PCB
Materiał PCB
Dla płytek z układami cyfrowymi pracującymi z transferami poniżej 150 Mbps (lub czasami narastania i opadania wyższymi, niż 1 ns) i długościami ścieżek do 10 cali, można do wykonania płytki drukowanej wykorzystać standardowe szkło epoksydowe FR-4 (Flame Retardant 4). Materiał ten spełnia standard Underwriters Laboratories UL84-V0 i jest preferowany ponad tańsze alternatywy ze względu na mniejsze straty dielektryka na wysokich częstotliwościach, mniejszą absorpcję wilgoci, większą wytrzymałość i sztywność, a także niską palność i zdolność do samogaszenia.
Stos warstw
Przynajmniej cztery warstwy są potrzebne do uzyskania struktury PCB o niskiej interferencji elektromagnetycznej (rysunek 9). Ułożenie warstw musi odpowiadać następującej kolejności (od góry do dołu): warstwa sygnałów wysokiej szybkości, warstwa uziemiająca, warstwa zasilania i warstwa sygnałów niskiej częstotliwości.
Rys. 9. Zalecane ułożenie warstw
Zalecenia:
- Prowadzenie ścieżek wysokich szybkości na górnej warstwie ułatwia unikanie przelotek (i wnoszonych przez nie indukcyjności), a także pozwala na czyste połączenia między izolatorem a obwodami nadajnika i odbiornika łącza danych
- Ułożenie warstwy ciała stałego bezpośrednio pod warstwą dużych szybkości stabilizuje kontrolowalną impedancję połączeń linii transmisyjnej i zapewnia doskonałą ścieżkę powrotną o niskiej impedancji dla przepływu prądu.
- Umieszczenie warstwy zasilania obok warstwy uziemiającej tworzy dodatkową pojemność na dużych częstotliwościach, rzędu 100pF na cal kwadratowy.
- Prowadzenie wolniejszych sygnałów kontrolnych na dolnej warstwie pozwala na większą dowolność, ponieważ te połączenia mają pewien margines tolerancji dla nieciągłości w rodzaju przelotek.
Jeśli potrzebna jest dodatkowa warstwa zasilająca lub sygnałowa, należy dodać drugą warstwę zasilania / uziemienia w celu zapewnienia symetrii. To sprawia, że całość staje się stabilna mechanicznie i zapobiega odkształceniom. Ponadto, warstwy zasilania i uziemienia każdego systemu zasilania mogą być umieszczone bliżej siebie, zwiększając znacząco pojemność przy wysokich częstotliwościach.