Układ TLD5085EJ jest przeznaczony do zasilania LED dużej mocy (nawet do 1,8 A) przy zasilaniu napięciem aż do 45V. Ma możliwość regulacji jasności świecenia zasilanych LED z wykorzystaniem PWM, ma także wbudowane: zabezpieczenie termiczne oraz układ „miękkiego” startu. Budowa i parametry układu umożliwiają jego zastosowanie w urządzeniach związanych z motoryzacją.
|
Podstawowe cechy i parametry układuTLD5085EJ:
|
Na rysunku 1 przedstawiono schemat aplikacyjny układu TLD5085EJ wykorzystany w prezentowanym projekcie (schemat elektryczny zestawu testowego pokazano na rysunku 2). Napięcie zasilania o wartości od 4,75V do 45V doprowadzone jest do wejścia VS. Zwarcie do masy wejścia EN wprowadza układ w stan uśpienia, jeśli nie będzie używane powinno zostać połączone z VS. Na wejście PWMI można podać sygnał prostokątny o częstotliwości do kilku kiloherców i amplitudzie do +45V. Zmiana wypełnienia sygnału płynnie reguluje świecenie diod LED, jeżeli ta funkcja nie będzie używana wejście PWMI powinno zostać zwarte do wejścia VS. Do wejścia COMP dołączono kompensujący układ RC o typowych wartościach 22kΩ i 22nF. Wartość kondensatora Cbootstrap powinna wynosić 220 nF. Wyprowadzenie BUO jest wyjściem tranzystora przełączającego do którego dołączony jest dławik z którego pobierany jest prąd zasilający diody LED obciążające układ. Indukcyjność zastosowanego dławika Lbu1 powinna zawierać się w przedziale 18 – 56µH natomiast pojemność kondensatora Cbu1 to 33…120µF (typowo 100µF).
Rys. 1. Zalecany schemat aplikacyjny układu TLD5085 w trybie stabilizacji napięcia
Maksymalny prąd wyjściowy obciążenia ustawia się przez dobranie wartości rezystancji Rfb. Można ją obliczyć korzystając z wzoru:
Rfb[Ω]= 0,6[V]/ILED[A]
Przykładowo dla prądu zasilania LED 1 A wartość rezystancji Rfb powinna wynieść 0,6Ω, natomiast dla prądu o natężeniu 0,7 A – około 0,86Ω.
Rys. 2. Schemat zestawu testowego – stabilizowany jest prąd wyjściowy układu, zasilający LED (płytkę z trzema LED należy dołączyć do złącza JP2 zachowując odpowiednią polaryzację)
Obudowa układu TLD5085EJ posiada na spodniej stronie metalową wkładkę pozwalającą na sprawne odprowadzanie ciepła z układu. Jej dolna płaszczyzna powinna mieć jak najlepszy kontakt z obszarem miedzi na płytce drukowanej pełniącym rolę radiatora (najlepiej jeżeli zostanie przylutowana do ocynowanego obszaru miedzi na PCB). W przypadku gdyby odprowadzanie ciepła okazało się mało efektywne w układzie zadziała wbudowany układ zabezpieczenia termicznego. Po przekroczeniu temperatury obudowy w przedziale 150…175°C układ TLD5085EJ automatycznie wyłączy się zapobiegając w ten sposób zniszczeniu.
Fot. 3. Płytka przetwornicy z TLD5085 zastosowana do zasilania diod N42180 firmy Seoul Semiconductor
