Pamięć NAND Flash ze zintegrowanym mechanizmem korekcji błędów


 


Firma Toshiba America Electronic Components poinformowała o opracowaniu pamięci BENAND – wszechstronnej, mogącej znaleźć zastosowanie w wielu aplikacjach pamięci SLC (Single Level Cell) NAND Flash z wbudowanym modułem do korekcji błędów (ECC – Error Correction Code).


Zintegrowanie mechanizmu korekcji błędów w pamięci eliminuje konieczność jego programowej implementacji w procesorze (bądź innym układzie sterującym), co odciąża go z zadań obliczeniowych. Prosty interfejs komunikacji i wysoka niezawodność pamięci pozwalają na jej szerokie zastosowanie w aplikacjach konsumenckich i przemysłowych. Pamięć SLC NAND Flash cechuje się zachowaniem kompatybilności obudowy i wyprowadzeń z dotychczasowymi pamięciami firmy Toshiba i innych producentów. Kompatybilność ta pozwala nabywcom na zmianę dotąd używanej w urządzeniach pamięci na nowy produkt Toshiby bez konieczności zmiany projektu płytki drukowanej. Potencjalne zastosowania pamięci typu BENAND to m.in. telewizory LCD, aparaty cyfrowe, roboty, radiotelefony, termostaty, układy sterowania bram, skrzynki przyłączeniowe telewizji kablowej, inteligentne systemy sprzedaży POS (Point of Sale), inteligentne urządzenia pomiarowe, automaty sprzedające, systemy rozrywki pokładowej w samolotach, oraz systemy ekranów reklamowych LCD.


Egzemplarze próbne ośmiu pamięci BENAND w wersjach pojemności  4 Gbit i 8 Gbit są już dostępne, a uruchomienie produkcji masowe planowane jest na początku marca 2012 roku. Układy oferowane są  w obudowach TSOP i BGA. W zależności od wersji pamięci, napięcie zasilania wynosi  1.7 – 1.95 V lub 2.7 – 3.6 V.


Dystrybutorem firmy Toshiba w Polsce jest Future Electronics, ul. Panieńska 9, 03-704 Warszawa, http://www.futureelectronics.com.

O autorze