Samsung produkuje pamięci LPDDR3 w technologii klasy 20 nm

Firma Samsung po raz kolejny wyznacza standardy w produkcji pamięci najnowszej generacji. Tym razem chodzi o przeznaczone dla urządzeń mobilnych czterogigabitowe (4 Gb) kości LPDDR3 DRAM, które koreańska firma zaczęła wytwarzać w technologii klasy 20 nm (między 20 a 29 nm).

Pamięci DRAM dla urządzeń mobilnych typu LPDDR3 cechują się wydajnością na poziomie porównywalnym ze standardowymi kośćmi DRAM stosowanymi w pecetach. Mogą transmitować dane z przepływnością do 2,133 megabitów na sekundę na pin, co jest wynikiem ponad dwukrotnie lepszym od wersji poprzedniej (LPDDR2), która pracowała z przepływnością 800 Mb/s. Jak obrazowo podaje producent, przepływność LPDDR3 pozwala na przesłanie trzech filmów w jakości full HD, o łącznym rozmiarze 17 GB w czasie jednej sekundy. Nowe pamięci firmy Samsung pozwalają więc na swobodne, płynne wyświetlanie filmów w jakości HD na smartfonach z ekranami o przekątnej pięć i więcej cali. W porównaniu z pamięci tej samej klasy produkowanymi w technologii klasy 30 nm, nowe kości mają o 30% lepszą wydajność, zużywając przy tym o 20% mniej energii.

Bardzo ważne w dzisiejszych urządzeniach mobilnych są oczywiście rozmiary podzespołów. Nowe kości Samsunga są cienkie i pozwalają na budowanie chipów OEM złożonych z czterech modułów 4 Gb, o łącznej pojemności 2 GB, zamkniętych w obudowie o grubości 0,8 mm.

Samsung zapowiada znaczne zwiększenie produkcji kości DRAM LPDDR3 jeszcze w tym roku. Warto wspomnieć, że według szacunków firmy Gartner, rynek mobilnych pamięci DRAM ma rosnąć w tempie 13% rocznie i w tym roku stanowić już 35% całego rynku DRAM-ów.

Szczegółowe informacje można znaleźć na stronie firmy.

Więcej informacji: Soyter Sp. z o.o., Klaudyn, ul. Ekologiczna 14/16, 05-080 Izabelin, http://www.soyter.pl.