07.09.2018
Podwójny tranzystor N-MOSFET produkcji Diotec w ofercie Rutronik
Układ MMBT7002DW zawiera dwa niezależna tranzystory N-MOSFET z krótkimi czasami przełączenia w obudowie SOT-363.
Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi 60 V, a prąd drenu wynosi 115 mA. Każdy tranzystor może być sterowany sygnałem o poziomie logicznym 5 V. Rezystancja statyczna w stanie włączenia wynosi 7,5 Ω, a czas włączenia – 20 ns. Układ MMBT7002DW charakteryzuje się niewielkimi wymiarami – 2,0 x 2,1 mm. Może być stosowany w układach przetwarzania sygnału, konwerterach poziomów logicznych i sterownikach.
Układ MMBT7002DW jest zgodny z RoHS oraz REACH.
Dostępny jest w sklepie Rutronik24.com.
Scanway zwiększa przychody, inwestuje w zaplecze produkcyjne i zawiera nowe kontrakty 
Sieć Badawcza Łukasiewicz rozwija laboratoria przemysłu wysokich technologii 
Grupa Volkswagen i Uniwersytet Techniczny w Brunszwiku zacieśniają współpracę badawczą w dziedzinie sztucznej inteligencji i mobilności 
![Zapraszamy do obejrzenia filmu i wysłuchania krótkich wypowiedzi prelegentów Hardware Forum 2026 i organizatorów majowej konferencji dla inżynierów z branży elektronicznej: Konrad Bruliński z Lemontech, prof. Krzysztof Kulpa z Politechniki Warszawskiej, Zbigniew Huber z FLC, Ewa Załupska z firmy KROK, Jerzy Kozieł z MPTECH, Grzegorz Potyralski z VIGO Photonics, dr Krzysztof Czuba z Politechniki Warszawskiej, Anna Beata Kalisz Hedegaard z Quantum Security Defence, Adrian Cichosz z Elhurt Dystrybucja Anna Kamińska z Creotech Quantum, oraz Łukasz Jaeszke i Adam Jaeszke z TEK.day [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/05/tytulowe-film-1.png "https://www.youtube.com/watch?v=BgxJVTwYJ-s")
