Podwójny tranzystor N-MOSFET produkcji Diotec w ofercie Rutronik
Układ MMBT7002DW zawiera dwa niezależna tranzystory N-MOSFET z krótkimi czasami przełączenia w obudowie SOT-363.
Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi 60 V, a prąd drenu wynosi 115 mA. Każdy tranzystor może być sterowany sygnałem o poziomie logicznym 5 V. Rezystancja statyczna w stanie włączenia wynosi 7,5 Ω, a czas włączenia – 20 ns. Układ MMBT7002DW charakteryzuje się niewielkimi wymiarami – 2,0 x 2,1 mm. Może być stosowany w układach przetwarzania sygnału, konwerterach poziomów logicznych i sterownikach.
Układ MMBT7002DW jest zgodny z RoHS oraz REACH.
Dostępny jest w sklepie Rutronik24.com.



Grupa WB i Hanwha budują fabrykę pocisków rakietowych dla HOMAR-K
GlobalLogic zmienia nazwę na Hitachi Digital we Wrocławiu
O czym rozmawiano podczas inauguracji klastra SEMTRONIC w ŁSSE? 


![https://www.youtube.com/watch?v=xeqdqGuy-Aw Michał Mitas, kierownik laboratorium Badań Urządzeń Radiowych w katowickim instytucie Łukasiewicz - AI, opowiada o badaniach urządzeń z interfejsem komunikacji bezprzewodowej, jak Wi-Fi, Bluetooth, LTE czy 5G, przeprowadzanych w komorze bezodbiciowej. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/10/00.png)

![https://www.youtube.com/watch?v=QSnLO-KmBMY O wybranych projektach realizowanych w Laboratorium Zakładu Układów Mikrofalowych – ISE PW opowiadają: mgr inż. Michał Kalisiak, dr hab. inż. Arkadiusz Lewandowski, mgr inż. Andžej Šerlat oraz dr hab. inż. Krzysztof Czuba. Zapraszamy na firm [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/09/WEiTI-PW-czolowka.png)

