Texas Instruments prezentuje sterowniki IGBT/SiC MOSFET ze zintegrowanymi zabezpieczeniami
Texas Instruments zaprezentował nowe sterowniki bramki IGBT/SiC MOSFET. Układy charakteryzują się dużymi możliwościami w zakresie monitorowania, a także wszechstronnymi zabezpieczeniami. Sterowniki oznaczone numerami UCC21710-Q1, UCC21732-Q1 oraz UCC21750 pozwalają na projektowanie mniejszych i wydajniejszych układów, tj. przetwornic trakcyjnych, ładowarek pokładowych, falowników solarnych, a także sterowników silnika i wielu innych.
Układy oferują zintegrowane czujniki prądu dla tranzystorów IGBT oraz SiC MOSFET. Pozwala to uprościć projekt oraz zapewnić niezawodność systemu przy napięciach do 1,5 kV. Układy zapewniają szybkie (ok. 200 ns) wykrywanie i uruchomienie zabezpieczeń przed skutkami nadmiernego prądu, a także bezpieczne przeprowadzenie wyłączenia systemu.
Sterowniki potrafią operować prądem nawet do ±10 A. Bariera izolacji jest w stanie przetrzymać napięcie nawet do 12,8 kV, natomiast napięcie wyjściowe drivera może mieć współczynnik CTMI równy 150 V/ns.
Więcej informacji na stronach produktów:
www.ti.com/product/UCC21710-Q1
GUS Technology i Toshiba podpisały umowę dotyczącą nowej generacji baterii litowo-jonowych z anodami NTO 
Umowa pomiędzy OSGE a Laurentis przybliża Polskę do stworzenia sieci małych reaktorów modułowych 
Anritsu uzyskuje walidację GCF dla testów Next Generation eCall w LTE i 5G 
