Toshiba Electronics Europe wprowadziła do oferty tranzystory mocy N-MOSFET o maksymalnym napięciu V_DS równym 100 V. Elementy są dostępne w montowanej powierzchniowo obudowie SOP Advance i są przeznaczone do aplikacji automotive. Tranzystory zaprojektowano do nowoczesnych systemów o napięciu 48 V. Pasują do przetwornic boost, generatorów ISG i reflektorów LED, a także silników oraz stabilizatorów impulsowych.

Tranzystory XPH4R10ANB i XPH6R30ANB charakteryzują się niewielką rezystancją w stanie włączenia, co umożliwia zwiększenie sprawności energetycznej urządzenia. Na przykład rezystancja R_DS(ON) wynosi jedynie 4,1 mΩ. Niewielka obudowa SOP jest sprawdzona w aplikacjach automotive o napięciu 48 V i umożliwia automatyczną inspekcję optyczną.

Oba elementy są częścią serii U-MOSVIII-H i oferują maksymalne napięcie V_DS 100 V oraz maksymalną temperaturę pracy 175°C. Tranzystor XPH4R10ANB oferuje maksymalny prąd ciągły 70 A i impulsowy 210 A. Natomiast XPH6R30ANB oferuje maksymalny prąd ciągły 45 A i impulsowy 135 A.

Więcej informacji na stronie: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.XPH4R10ANB.html oraz https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.XPH6R30ANB.html