Toshiba wprowadziła do oferty nowe tranzystory super-junction N-MOSFET z serii DTMSOSVI. Elementy mają napięcie pracy 650 V.
Osiem nowych tranzystorów charakteryzują się bardzo dobrym parametrem FoM (Figure of Merit) czyli iloczynem rezystancji RDS(ON) oraz ładunku bramki QG. Producent podaje, że wartość ta jest aż o 40% mniejsza niż dla poprzedniej generacji DTMOS. Dzięki temu tranzystory pozwalają projektantom osiągnąć sprawność przetwornicy impulsowej o około 0,36%, a więc zmniejszyć straty układu.
Nowe tranzystory są dostarczane w różnego rodzaju obudowach. Przykładowo, elementy TK110Z65Z, TK125V65Z, TK170V65Z i TK210V65Z zawierają dodatkowe wyprowadzenie Kelvina na źródle, co poprawia sterowanie oraz sprawność energetyczną. Elementy TK110N65Z i TK110Z65Z są dostępne w obudowach TO-247, natomiast TK110A65Z, TK155A65Z i TK190A65Z zamknięto we w pełni zaizolowanych obudowach TO-220SIS. Na koniec, tranzystory TK125V65Z, TK170V65Z oraz TK210V65Z są dostępne w obudowach DFN 8 x 8 mm montowanych powierzchniowo.
Więcej informacji na stronie firmy Toshiba.
