Toshiba Electronics Europe GbmH wprowadziła do oferty nowe tranzystory MOSFET z węgliku krzemu (SiC). Elementy MG800FXF2YMS3 zawierają dwa kanały MOSFET o dopuszczalnym napięciu do 3300 V zdolne do obsługi prądów do 800 A. Tranzystory są przeznaczone głównie do modułów o dużej gęstości mocy w tym w sprzęcie przemysłowym i sterownikach silników, inwerterów mocy w systemach energii odnawialnej, a także w konwerterach niezbędnych w transporcie kolejowym.

Kluczową cechą modułów SiC MOSFET, pozwalających na osiągnięcie tak dobrych parametrów, jest technologia tworzenia obudów firmy Toshiba. Obudowy iXPLV stosowane w tych modułach korzystają z technologii spiekanego srebra, która pozwala osiągnąć wyższy stopień wydajności. Moduł wytrzymuje temperaturę kanału do 175°C, a także zapewnia izolację do 6000 V_RMS. Straty przełączania wynoszą dla włączania i wyłączania odpowiednio 250 mJ i 240 mJ, natomiast indukcyjność pasożytnicza wynosi typowo 12 nH.

Więcej informacji na stronie https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/detail.MG800FXF2YMS3.html