STMicroelectronics wprowadził do oferty nowe układy wysokiej mocy wykonane z arsenku galu (GaN) – MasterGaN3 oraz MasterGaN5. Układy pozwalają na łatwą implementację technologii półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej zapewniającej wysoką sprawność układu. Nowe produkty mogą pracować w układach o mocy odpowiednio do 45 W oraz do 150 W.
Wraz z innymi układami z rodziny ST MasterGaN, nowości zapewniają dodatkową swobodę w wyborze optymalnego elementu GaN oraz sterownika podczas projektowania zasilaczy impulsowych, ładowarek, konwerterów DC/DC , a także filtrów PFC.
Układy łączą w sobie dwa tranzystory mocy (650 V), sterowniki bramki, a także układy zabezpieczające. Dzięki możliwości zastosowania wyższych częstotliwości przełączania, układy oparte o elementy GaN mogą być aż do 80% mniejsze niż układy krzemowe. Cechują się także wyjątkową niezawodnością. Tranzystory w układach MasterGaN3 mają asymetrycznie dobrane rezystancje w stanie włączenia – 225 mΩ i 450 mΩ. Sprawia to, że układ sprawdza się w aplikacjach z miękką komutacją oraz przetwornicach synchronicznych. Układy MasterGaN5 mają równomiernie rozłożone rezystancje po 450 mΩ. Pozwala to użyć je w przetwornicach rezonansowych LLC i Flyback z układem Active Clamp.
Więcej informacji na stronie www.st.com/mastergan
