04.04.2022
Nowy tranzystor mocy MOSFET firmy Toshiba
Toshiba Electronics Europe wprowadził do oferty tranzystor mocy MOSFET o napięciu znamionowym 150 V. Element wykorzystuje najnowszy proces technologiczny U-MOSX-H, co umożliwia osiągnięcie znaczącej redukcji strat. Dodatkowo, zredukowano skoki napięcia pomiędzy drenem, a źródłem, co z kolei poprawia parametry dotyczące interferencji elektromagnetycznej.
Tranzystor jest dostępny w dwóch obudowach SMD – SOP Advance (5 x 6 mm) oraz SOP Advance(N) (4,9 x 6,1 mm).
Układ sprawdzi się w szerokim zakresie aplikacji, w tym w zasilaczach impulsowych dla urządzeń przemysłowych, np. stacjach bazowych i centrach danych.
Więcej informacji na stronie produktu TPH9R00CQH
PPTF i ARP S.A. organizują program staży w zakresie mikroelektroniki 
Ustawa o systemach AI – bezpieczny rozwój sztucznej inteligencji w Polsce 
Energa Operator z dofinansowaniem 338 mln PLN na stacje ładowania dla ciężarówek 
![O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo")
