Nowy tranzystor mocy MOSFET firmy Toshiba
Toshiba Electronics Europe wprowadził do oferty tranzystor mocy MOSFET o napięciu znamionowym 150 V. Element wykorzystuje najnowszy proces technologiczny U-MOSX-H, co umożliwia osiągnięcie znaczącej redukcji strat. Dodatkowo, zredukowano skoki napięcia pomiędzy drenem, a źródłem, co z kolei poprawia parametry dotyczące interferencji elektromagnetycznej.
Tranzystor jest dostępny w dwóch obudowach SMD – SOP Advance (5 x 6 mm) oraz SOP Advance(N) (4,9 x 6,1 mm).
Układ sprawdzi się w szerokim zakresie aplikacji, w tym w zasilaczach impulsowych dla urządzeń przemysłowych, np. stacjach bazowych i centrach danych.
Więcej informacji na stronie produktu TPH9R00CQH



SGH kształci menedżerów dla sektora kosmicznego
Inżynierowie mogą bezpłatnie przetestować Arduino VENTUNO Q
ESA i Mistral łączą siły w obszarze AI 

![https://www.youtube.com/watch?v=QSnLO-KmBMY O wybranych projektach realizowanych w Laboratorium Zakładu Układów Mikrofalowych – ISE PW opowiadają: mgr inż. Michał Kalisiak, dr hab. inż. Arkadiusz Lewandowski, mgr inż. Andžej Šerlat oraz dr hab. inż. Krzysztof Czuba. Zapraszamy na firm [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/09/WEiTI-PW-czolowka.png)
![https://www.youtube.com/watch?v=XkeyLmtLfxo O konkursie organizowanym przez firmę TRUMPF Huettinger i polskie uczelnie techniczne opowiada Alicja Peresada i prof. Jacek Rąbkowski oraz kilkoro nagrodzonych dyplomantów: mgr inż. Jakub Dobosz, inż. Maja Zielińska, dr inż. Jakub Kołodziej, dr inż Weronika Hryniewska-Guzik i dr inż. Grzegorz Bartyzel. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/07/TRUMPF-czolowka.png)


