04.04.2022
Nowy tranzystor mocy MOSFET firmy Toshiba
Toshiba Electronics Europe wprowadził do oferty tranzystor mocy MOSFET o napięciu znamionowym 150 V. Element wykorzystuje najnowszy proces technologiczny U-MOSX-H, co umożliwia osiągnięcie znaczącej redukcji strat. Dodatkowo, zredukowano skoki napięcia pomiędzy drenem, a źródłem, co z kolei poprawia parametry dotyczące interferencji elektromagnetycznej.
Tranzystor jest dostępny w dwóch obudowach SMD – SOP Advance (5 x 6 mm) oraz SOP Advance(N) (4,9 x 6,1 mm).
Układ sprawdzi się w szerokim zakresie aplikacji, w tym w zasilaczach impulsowych dla urządzeń przemysłowych, np. stacjach bazowych i centrach danych.
Więcej informacji na stronie produktu TPH9R00CQH
Grupa WB i Hanwha budują fabrykę pocisków rakietowych dla HOMAR-K 
GlobalLogic zmienia nazwę na Hitachi Digital we Wrocławiu 
O czym rozmawiano podczas inauguracji klastra SEMTRONIC w ŁSSE? 
![Michał Mitas, kierownik laboratorium Badań Urządzeń Radiowych w katowickim instytucie Łukasiewicz - AI, opowiada o badaniach urządzeń z interfejsem komunikacji bezprzewodowej, jak Wi-Fi, Bluetooth, LTE czy 5G, przeprowadzanych w komorze bezodbiciowej. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/10/00.png "https://www.youtube.com/watch?v=xeqdqGuy-Aw")
![O wybranych projektach realizowanych w Laboratorium Zakładu Układów Mikrofalowych – ISE PW opowiadają: mgr inż. Michał Kalisiak, dr hab. inż. Arkadiusz Lewandowski, mgr inż. Andžej Šerlat oraz dr hab. inż. Krzysztof Czuba. Zapraszamy na firm [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/09/WEiTI-PW-czolowka.png "https://www.youtube.com/watch?v=QSnLO-KmBMY")
