Toshiba Electronics Europe wprowadził do oferty tranzystor mocy MOSFET o napięciu znamionowym 150 V. Element wykorzystuje najnowszy proces technologiczny U-MOSX-H, co umożliwia osiągnięcie znaczącej redukcji strat. Dodatkowo, zredukowano skoki napięcia pomiędzy drenem, a źródłem, co z kolei poprawia parametry dotyczące interferencji elektromagnetycznej.
Tranzystor jest dostępny w dwóch obudowach SMD – SOP Advance (5 x 6 mm) oraz SOP Advance(N) (4,9 x 6,1 mm).
Układ sprawdzi się w szerokim zakresie aplikacji, w tym w zasilaczach impulsowych dla urządzeń przemysłowych, np. stacjach bazowych i centrach danych.
Więcej informacji na stronie produktu TPH9R00CQH
