Toshiba Electronics Europe opublikowała dokładne modele G2 SPICE, co umożliwi symulację układów wykorzystujących elementy produkowane przez firmę. W przeciwieństwie do wcześniej dostępnych modeli G0 SPICE, zoptymalizowanych pod kątem szybkości obliczeń, modele G2 SPICE umożliwiają bardziej precyzyjną symulację transjentów.
Modele elementów dyskretnych zaprojektowano w formacie makromodeli. Składają się więc z serii elementów wirtualnych komponentów modelujących strukturę układu oraz charakterystyki elektryczne. Dzięki takiemu podejściu można osiągnąć wyższą dokładność symulacji, zwłaszcza w obszarach wysokiego prądu charakterystyki ID-VDS, a także w kontekście wpływu napięcia na pojemności pasożytnicze.
Dostępne są modele G2 SPICE niskonapięciowych kluczy MOSFET (12-300 V) oraz średnio- i wysokonapięciowych MOSFETów (400 – 900 V). Dostępne są modele na PSpice oraz LTSpice.
Modele można znaleźć na stronie https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/knowledge/highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately-download.html
