Świąteczne zakupy firmy onsemi: fabryka NexGen i technologia SIC JFET spółki United Silicon Carbide
Jako były pracownik firmy onsemi, śledzę co nowego u mojego byłego pracodawcy. Tak się złożyło, że przed końcem roku onsemi dokonał zakupów, które kojarzą się z okazyjnymi zakupami świątecznymi.
24 grudnia 2024 pojawiła się informacja, że onsemi kupiło fabrykę NexGen Power Systems w miejscowości DeWitt/Syracuse w stanie Nowy York, USA. Firma NexGen opracowała nową technologię tranzystorów GaN, tzw. Vertical GaN. We wspomnianym zakładzie miała produkować te tranzystory od 2020 roku, jednak nastąpiły znaczące opóźnienia, co ostatecznie poskutkowało ogłoszeniem bankructwa w grudniu 2023.
Zakład został przejęty przez lokalne władze stanowe, które partycypowały w przedsięwzięciu NexGen. Łącznie zainwestowały ok.100 mln USD. Przez rok próbowano znaleźć inwestora, ale każdy, który się pojawiał, w krótkim czasie rezygnował. Dopiero teraz onsemi zdecydowało się na zakup tej nieruchomości wraz z wyposażeniem oraz własnością intelektualną związaną z produkcją tranzystorów GaN. Koszt to tylko 20 mln USD, ale mimo to władze lokalne są zadowolone. onsemi zadeklarowało także zatrudnienie 80-100 pracowników w tym miejscu i nie stawiało żadnych innych warunków przed dokonaniem inwestycji. W USA zwykle władze lokalne wspierają inwestycje prowadzące do utworzenia nowych miejsc pracy i często jest to element negocjacji pomiędzy inwestorem a władzami lokalnymi.
Od 2008 roku onsemi był właścicielem fabryki w Oudenarde (Belgia), gdzie opracowywano między innymi nowe podzespoły z azotku galu GaN. onsemi postanowiło skupić się na opracowywaniu w produkcji podzespołów z węglika krzemu SiC i dlatego w 2022 roku fabryka została sprzedana, a jej właścicielem została nowo utworzona firm BelGaN, która miałaby być europejskim foundry produkcji podzespołów GaN. Jednakże firma nie zdołała zabezpieczyć odpowiednich środków na inwestycje i rozwój, w rezultacie w sierpniu 2024 ogłosiła upadłość. Już wtedy pomyślałem sobie, że być może to dobra okazja do wznowienia działalności w zakresie GaN przez onsemi. Przeciw takiemu ruchowi była wielkość fabryki, bo tylko same pomieszczenia czyste tzw. clean room’y mają powierzchnię ponad 4 300 m2 . Cały zakład NexGen w Syracuse (NY) to tylko 6100 m2, a clean room ma powierzchnię 1850 m2. Na początek chyba wystarczy.
Wygląda na to że przyszedł czas, gdy onsemi ponownie wraca do R&D i produkcji podzespołów GaN. Ta informacja jeszcze nie została potwierdzona przez onsemi w ich komunikacie prasowym.
9 grudnia 2024 r. onsemi ogłosiło, że zawarło umowę na przejęcie technologii tranzystorów polowych z węglika krzemu SIC JFET, w tym spółki zależnej United Silicon Carbide, od Qorvo, za 115 mln USD w gotówce. Przejęcie uzupełni rozbudowane portfolio już produkowanych przez onsemi podzespołów SiC (diody + tranzystory MOSFET) o handlowej nazwie EliteSiC. Ta produkcji umożliwi firmie zaspokojenie potrzeb w zasilaczach AC-DC dla centrów danych AI, zapewniając wysoką efektywność energetyczną i gęstości mocy.
Ponadto, posunięcie to przyspieszy gotowość onsemi do wejścia na rynki wschodzące, takie jak rozłączniki akumulatorów pojazdów elektrycznych i styczniki półprzewodnikowe (SSCB).
Potencjał nowego rynku i szacowane dodatkowe obroty w ciągu 5 lat, jakie może osiągnąć onsemi, to aż 1,3 mld USD. Ten nowy rynek jest ważny dla firmy także z powodu zmniejszonego zapotrzebowania na SiC MOSFETy w tym roku, szczególnie w związku ze spowolnieniem wzrostu produkcji samochodów elektrycznych (BEV+PHEV).
SiC JFET oferują najniższą rezystancję włączenia Rds(on) na obszar chipu. Umożliwiają również stosowanie typowych gotowych sterowników, które są produkowane na bazie krzemu od dziesięcioleci. Łącznie korzyści te skutkują szybszym rozwojem, zmniejszonym zużyciem energii i niższymi kosztami systemu, co zapewnia znaczne oszczędności operatorom centrów danych.
Zamknięcie transakcji jest planowane na pierwszy kwartał 2025 roku.