Firma ST wprowadziła 40 V tranzystory MOSFET STripFET F8 o standardowym napięciu progowym (V_GS(th)), łącząc zalety ulepszonej technologii bramki trench z doskonałą odpornością na zakłócenia w zastosowaniach ze sterowaniem poziomami innymi niż logiczne.

Tranzystory MOSFET STL300N4F8 klasy przemysłowej i STL305N4F8AG klasy motoryzacyjnej charakteryzują się prądem drenu powyżej 300 A i maksymalnym R_DS(on) wynoszącym 1 mΩ, zapewniając wyjątkową wydajność w aplikacjach o dużej mocy. Zwiększając wydajność dynamiczną, całkowity ładunek bramki 65 nC (typowy) z niskimi pojemnościami urządzenia (C_iss, C_rss) zapewnia minimalne straty przy wysokiej częstotliwości przełączania. Dioda MOSFET zapewnia wydajność i niezawodność przy niskim napięciu przewodzenia i szybkim powrocie do stanu wyjściowego.

Dzięki nowej serii tranzystorów projektanci mogą zastosować najnowszą technologię STripFET F8 w zasilaczach, konwerterach i napędach silnikowych urządzeń takich jak urządzenia bezprzewodowe i narzędzia przemysłowe. Duża wydajność tranzystorów MOSFET wydłuża czas pracy na jednym ładowaniu baterii i zmniejsza rozpraszanie ciepła, umożliwiając pracę przy stałej wysokiej mocy wyjściowej z uproszczonym zarządzaniem termicznym. Cechy te pozwalają zaoszczędzić miejsce i obniżyć koszty materiałów. Tranzystory z certyfikatem motoryzacyjnym są przeznaczone do napędów silnikowych i przetwornic DC/DC w całym pojeździe, w tym elektroniki nadwozia, podwozia i układów napędowych. Zastosowania obejmują podnośniki szyb, pozycjonery siedzeń, otwieracze szyberdachu, wentylatory i dmuchawy, elektryczne wspomaganie kierownicy, aktywne zawieszenie i systemy kontroli redukcji emisji.

Technologia STripFET F8 zapewnia wytrzymałość w dużym bezpiecznym obszarze roboczym (SOA), umożliwiając urządzeniom obsługę wysokich mocy, które narzucają duże spadki napięcia dren-źródło (V_DS). Ponadto, wysoka maksymalna temperatura złącza roboczego wynosząca 175°C pozwala tranzystorom MOSFET wytrzymać trudne warunki użytkowania w ekstremalnych środowiskach.

Co więcej, technologia ta umożliwia uzyskanie niewielkich rozmiarów matrycy, co pozwala na osiąganie niskiego R_DS(on) w konkurencyjnej cenie w obudowie o kompaktowych wymiarach. Oba tranzystory są dostępne w zajmującej niewiele miejsca obudowie PowerFLAT 5×6, zawierającej również opcję wettable flanks wymaganą przez przemysł motoryzacyjny.

Układ STL300N4F8 jest już dostępny w cenie od 0,8370 USD przy zamówieniach 1000 sztuk. Cena modelu STL305N4F8AG wynosi od 0,9730 USD za 1000 sztuk.

Źródło: informacja prasowa