Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation („Toshiba”) i SICC Co., Ltd. („SICC”) podpisały memorandum o porozumieniu (MOU), na mocy którego będą badać możliwości współpracy w zakresie poprawy właściwości i jakości płytek półprzewodnikowych mocy z węglika krzemu (SiC) opracowywanych i produkowanych przez SICC. Memorandum dotyczy także rozszerzenia stabilnych dostaw, wysokiej jakości płytek z SICC do Toshiby.

Obie firmy omówią zakres wspólnych działań i wzajemnego wsparcia. Należy jednak pamiętać, że memorandum nie jest wiążącym dokumentem w sensie prawnym.

(Po lewej) Zong Yanmin, Prezes Zarządu SICC Co., Ltd.; (po prawej) Noriyasu Kurihara, dyrektor, wiceprezes działu półprzewodników, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Źródło: Toshiba)

Zastosowanie SiC

Półprzewodniki mocy z węglika krzemu są stosowane głównie w urządzeniach zasilających. Elementy SiC mają cechy przydatne szczególnie tam, gdzie istotne jest ograniczanie zużycia energii we wszelkiego rodzaju urządzeniach elektrycznych i elektronicznych, pozwalają także minimalizować ślad węglowy.

Zainteresowanie półprzewodnikami mocy będzie rosło wraz z ze wzrostem wymagań dotyczących sprawności urządzeń. Dotyczy to w szczególności półprzewodników mocy wytwarzanych na płytkach Sic, które będą pracować w środowiskach o wysokiej temperaturze. Należą do nich przede wszystkim pojazdy elektryczne i systemy energii odnawialnej. Jest to jednak obszar, w którym zapewnienie niezawodności i stabilnej jakości stanowi dodatkowy wymóg dla efektywności energetycznej i nadal może stanowić wyzwanie.

Liczy się doświadczenie

Toshiba ma ugruntowane doświadczenie w rozwoju, produkcji i sprzedaży półprzewodników mocy SiC dla kolei. Obecnie przyspiesza rozwój urządzeń SiC do zastosowań takich jak zasilacze serwerowe i segment motoryzacyjny. Firma dąży do dalszego zmniejszenia strat mocy w urządzeniach oraz poprawy ich niezawodności i wydajności w przyszłych zastosowaniach wymagających wysokiej sprawności przetwarzania energii.

Osiągnięcie tych celów wymaga ścisłej współpracy z firmą stosującą innowacyjne technologie produkcji płytek SiC. Oczekuje się, że współpraca z firmą dysponującą bogatym doświadczeniem w zakresie masowej produkcji płytek Sic, taką jak SICC, przyczyni się do opracowania optymalnych rozwiązań dla różnych zastosowań i przyspieszy ekspansję firmy.

Dlaczego wybrano SICC?

Od momentu założenia w 2010 roku, SICC koncentruje się wyłącznie na rozwoju i produkcji monokrystalicznych płytek SiC. Dzięki filozofii biznesowej skoncentrowanej na jakości i rozwoju technologicznym, SICC zajmuje jedną z pięciu czołowych pozycji na świecie pod względem liczby patentów w tym zakresie. W 2024 roku firma wprowadziła na rynek pierwszy 12-calową płytkę SiC, a w 2025 roku ogłosiła wprowadzenie 12-calowych płytek do wszystkich produktów, w tym typu n, półizolacyjnych i typu p.

Memorandum o porozumieniu rozpoczyna prawdopodobnie dłuższą współpracę firm Toshiba i SICC. Będzie ona nadal omawiana po to, by doprowadzić do rozwoju wzajemnej działalności w oparciu o podpisane tym razem porozumienie.

Źródło: informacje prasowe