Infineon wprowadza przemysłowe tranzystory MOSFET CoolSiC™ 650 V G2 75 mΩ do zastosowań średniej mocy i wysokiej gęstości mocy

Infineon Technologies rozszerza swoją ofertę tranzystorów MOSFET CoolSiC™ 650 V G2 o nowe warianty 75 mΩ. Mają one sprostać zapotrzebowaniu na systemy bardziej kompaktowe i wydajne. Tranzystory są dostępne w wielu obudowach, takich jak: TOLL, ThinTOLL 8×8, TOLT, D2PAK, TO247-3 i TO247-4.

Dzięki temu rodzina produktów jest przystosowana zarówno do chłodzenia od góry (TSC), jak i od dołu (BSC). Tranzystory idealnie nadają się do zasilaczy impulsowych (SMPS) o dużej i średniej mocy w różnych zastosowaniach, takich jak serwery AI, energia odnawialna, ładowarki pojazdów elektrycznych i e-mobilności, ładowarki robotów humanoidalnych, telewizory i napędy.

Tranzystory MOSFET CoolSiC 650 V G2 są oparte na technologii CoolSiC drugiej generacji (G2) i w porównaniu z poprzednią generacją zapewniają lepsze wskaźniki dobroci, wyższą niezawodność i są łatwiejsze w obsłudze. Z kolei różne obudowy odznaczają się szeregiem zalet, np. obudowy TOLL i ThinTOLL 8×8 zapewniają wysoką stabilność termiczną na płytce drukowanej i umożliwiają kompaktowe projektowanie systemów.

Zastosowane w zasilaczach SMPS zmniejszają wymagania dotyczące miejsca na płytce drukowanej i obniżają koszty produkcji na poziomie systemu. Lista docelowych zastosowań dla układów TOLL i ThinTOLL 8×8 została rozszerzona, umożliwiając projektantom PCB sprostanie wyzwaniom związanym z redukcją kosztów.

Dodanie TOLT wzmacnia rosnącą rodzinę produktów TSC firmy Infineon, która obejmuje również CoolMOS™ 8, CoolSiC, CoolGaN™ i Optimos™. Warianty TSC pozwalają na bezpośrednie odprowadzanie do 95 procent ciepła i pozwalają projektantom na wykorzystanie obu stron płytki PCB, a to z kolei poprawia wykorzystanie przestrzeni i redukuje efekty pasożytnicze.

Źródło: informacje prasowe