Nowe przemysłowe tranzystory MOSFET CoolSiC™ 650 V G2 w obudowach Q-DPAK i TOLL zapewniają lepszą gęstość mocy

Obserwując zmiany w branży elektronicznej dostrzegamy wyraźny stały trend w kierunku miniaturyzacji systemów i zwiększania ich wydajności. Wpisują się w niego m.in. działania firmy Infineon Technologies AG, która rozszerza swoją ofertę dyskretnych tranzystorów MOSFET CoolSiC™ 650 V o dwie nowe rodziny produktów umieszczonych w obudowach Q-DPAK i TOLL.

Są to rodziny produktów z obustronnym chłodzeniem – od góry i od dołu, oparte są na technologii CoolSiC™ 2. generacji (G2). Tranzystory te zapewniają znacznie lepszą wydajność, niezawodność i łatwość użytkowania. Rodziny produktów są przeznaczone do zasilaczy impulsowych (SMPS) o wysokiej i średniej mocy, w tym serwerów AI, energii odnawialnej, ładowarek do pojazdów elektrycznych, e-mobilności i robotów humanoidalnych, telewizorów, napędów i wyłączników półprzewodnikowych.

Obudowa TOLL oferuje wyjątkową zdolność Thermal Cycling on Board (TCoB), umożliwiając tworzenie kompaktowych systemów poprzez zmniejszenie powierzchni płytki drukowanej (PCB). Stosowana w zasilaczach SMPS może również obniżyć koszty produkcji na poziomie systemu. Obudowa TOLL jest teraz odpowiednia do rozszerzonej listy aplikacji docelowych, umożliwiając projektantom PCB dalsze obniżanie kosztów i lepsze spełnianie wymagań rynku.

Wprowadzenie obudowy Q-DPAK uzupełnia trwający rozwój nowej rodziny produktów Infineon Topside Cooled (TSC), która obejmuje CoolMOS™ 8, CoolSiC™, CoolGaN™ i OptiMOS™. Rodzina TSC umożliwia klientom osiągnięcie doskonałej wytrzymałości przy maksymalnej gęstości mocy i wydajności systemu przy niskich kosztach. Umożliwia również bezpośrednie rozpraszanie ciepła na poziomie 95%, pozwalając na wykorzystanie obu stron płytki drukowanej w celu lepszego zarządzania przestrzenią i redukcji efektów pasożytniczych.

Źródło: informacje prasowe