LinkedIn YouTube Facebook
Szukaj

Newsletter

Proszę czekać.

Dziękujemy za zgłoszenie!

Wstecz
Sprzęt pomiarowy

OMRON: przekaźniki z tranzystorami MOSFET SiC do zastosowań w energetyce wysokonapięciowej i testach

Firma OMRON Electronic Components Europe wprowadziła na rynek nowe przekaźniki G3VH z tranzystorami MOSFET z węglika krzemu (SiC) o napięciu znamionowym 3300 V i 1800 V, zapewniające zalety półprzewodnikowego przełączania mocy przy napięciach szyny zbiorczej i akumulatora sięgających 1000 V i więcej.

Źródło: Napier

Dzięki podwyższonym parametrom znamionowym przekaźniki te zapewniają niezawodne przełączanie, co pozwala projektantom systemów na stosowanie wyższych napięć w celu maksymalizacji efektywności energetycznej oraz wykorzystania mniejszych i lżejszych przewodów i połączeń. Nowe urządzenia serii G3VH, choć mogą pracować powyżej normalnych maksymalnych limitów napięcia dla zwykłych przekaźników krzemowych, charakteryzują się dłuższą żywotnością i mniejszymi rozmiarami niż konwencjonalne przekaźniki kontaktronowe. Znajdują one zazwyczaj zastosowanie w napędach przemysłowych i automatyce, generatorach energii słonecznej i wiatrowej, systemach magazynowania energii (ESS) do wykrywania zwarć doziemnych oraz w automatycznym sprzęcie testowym (ATE) przeznaczonym do wysokonapięciowych półprzewodników mocy o szerokiej przerwie energetycznej.

Przekaźniki zawierają tranzystory MOSFET z węglika krzemu (SiC) z optycznie izolowanym sterownikiem bramki. Z łatwością radzą sobie z wysokimi napięciami roboczymi w swojej kompaktowej obudowie typu dual inline (DIP-6) z 6 pinami. Dzięki niskim pojemnościom wewnętrznym, które zapewniają czyste i wydajne przełączanie nawet przy dużych prędkościach, przekaźniki te charakteryzują się czasem załączenia wynoszącym 1 ms lub 2 ms, a wyłączenie następuje w ciągu 0,2 ms.

Dzięki tej wydajności urządzenia z serii G3VH umożliwiają szybką reakcję na polecenia bezpieczeństwa systemu, a także pozwalają na skrócenie czasów cykli testowych w zastosowaniach ATE. Podczas gdy naturalnie wysoka tolerancja dV/dt SiC zapewnia stabilne przełączanie nawet w trudnych warunkach, tranzystory MOSFET wytrzymują również wysokie temperatury robocze i obciążenia termiczne, co pozwala im zachować długą żywotność cykliczną we wszystkich środowiskach.

Nowe urządzenia obejmują dwie serie, w tym model G3VH-331 o napięciu znamionowym 3300 V, prądzie obciążenia ciągłego 300 mA oraz prądzie impulsowym (Iop) 900 mA, przy całkowitej rezystancji między zaciskami wynoszącej 3,5 Ω. Seria G3VH-181 o napięciu 1800 V może wytrzymać prąd ciągły do 30 mA i prąd impulsowy do 80 mA, przy rezystancji wynoszącej 120 Ω.

Wszystkie urządzenia z serii G3VH są typu 1a (SPST, normalnie otwarte) i są obecnie produkowane w wersjach do montażu powierzchniowego oraz w obudowach do montażu przewlekanego.

Polski portal branżowy dedykowany zagadnieniom elektroniki. Przeznaczony jest dla inżynierów i konstruktorów, projektantów hardware i programistów oraz dla studentów uczelni technicznych i miłośników elektroniki. Zaglądają tu właściciele startupów, dyrektorzy działów R&D, zarządzający średniego szczebla i prezesi dużych przedsiębiorstw. Oprócz artykułów technicznych, czytelnik znajdzie tu porady i pełne kursy przedmiotowe, informacje o trendach w elektronice, a także oferty pracy. Przeczyta wywiady, przejrzy aktualności z branży w kraju i na świecie oraz zadeklaruje swój udział w wydarzeniach, szkoleniach i konferencjach. Mikrokontroler.pl pełni również rolę patrona medialnego imprez targowych, konkursów, hackathonów i seminariów. Zapraszamy do współpracy!