Infineon i Visteon-Shinry opracują ładowarkę OBC z GaN
Nowe rozwiązanie wykorzystuje inne podejście do konwersji energii. Łączy zaawansowaną topologię sprzętową przetwornicy VSPE, autorską strategię sterowania oraz doświadczenie Infineon w integracji systemów. Ponadto wykorzystuje monolityczne przełączniki dwukierunkowe (BDS) z azotku galu (GaN). Firmy ogłosiły współpracę podczas targów electronica w Monachium.
Jednostopniowa architektura VSPE łączy funkcje konwersji mocy, które w tradycyjnych rozwiązaniach realizują oddzielne stopnie. Ponadto eliminuje duże kondensatory, które producenci stosują w konwencjonalnych dwustopniowych ładowarkach pokładowych (OBC). Dzięki temu zwiększa niezawodność, zmniejsza złożoność systemu, umożliwia zastosowanie bardziej kompaktowej obudowy oraz obniża koszty.
Ładowarka pokładowa obsługuje zarówno trójfazowe ładowanie prądem przemiennym o mocy 22 kW, jak i jednofazowe o mocy 19,2 kW. Ponadto oferuje pełną dwukierunkową funkcjonalność V2X (vehicle-to-everything), czyli komunikację pojazdu z otoczeniem. Umożliwia to interakcję z siecią energetyczną, a także zapewnia większą elastyczność energetyczną.
Przełączniki GaN uproszczą konstrukcję układu mocy
Technologia GaN BDS firmy Infineon odpowiada wymaganiom architektury jednostopniowej. W przeciwieństwie do konwencjonalnych przełączników mocy monolityczne urządzenia integrują dwukierunkowe blokowanie napięcia i przewodzenie prądu w jednym elemencie. Dzięki temu umożliwiają przełączanie dwukierunkowe przy użyciu mniejszej liczby elementów półprzewodnikowych.
Ponadto możliwości przełączania wysokoczęstotliwościowego technologii GaN pomagają zwiększyć gęstość mocy i zmniejszyć rozmiary elementów magnetycznych.
– Ta współpraca łączy uzupełniające się atuty w dziedzinie elektroniki samochodowej, konwersji mocy i zaawansowanych półprzewodników – powiedział Zilai Zhao, współdyrektor generalny Visteon-Shinry Power Electronics.
– Integracja przełączników GaN firmy Infineon z naszą autorską topologią jednostopniową oznacza istotną zmianę w zakresie gęstości mocy i kosztów systemu – dodał Mark Sun, dyrektor ds. technologii w SHINRY.
Infineon rozwija zastosowania dwukierunkowych przełączników GaN
– Wspólnie z Visteon-Shinry Power Electronics rozszerzamy możliwości ładowania pokładowego w pojazdach elektrycznych nowej generacji – oznajmił Benoit Rousseau, wiceprezes ds. GaN w sektorze motoryzacyjnym w firmie Infineon.
Podczas Światowego Kongresu Pojazdów Napędzanych Nowymi Źródłami Energii w 2026 r. dwukierunkowy przełącznik GaN firmy Infineon otrzymał wyróżnienie. Organizatorzy uznali go za »Globalną innowacyjną technologię w dziedzinie pojazdów napędzanych nowymi źródłami energii«. Przełącznik łączy wysoką wydajność przełączania i sprawność energetyczną z nowym poziomem integracji półprzewodników. Dzięki temu umożliwia tworzenie nowych architektur konwersji mocy.




Infineon i SOLUM współpracują w zakresie zasilania HVDC dla centrów danych wykorzystujących AI
Infineon i ZuriQ rozwijają komputery kwantowe
Infineon i Enphase wprowadzają przełączniki GaN 900 V
UnternehmerTUM, Microsoft, Infineon i NVIDIA uruchamiają laboratorium rozwoju AI dla europejskich start-upów 


![https://www.youtube.com/watch?v=xeqdqGuy-Aw Michał Mitas, kierownik laboratorium Badań Urządzeń Radiowych w katowickim instytucie Łukasiewicz - AI, opowiada o badaniach urządzeń z interfejsem komunikacji bezprzewodowej, jak Wi-Fi, Bluetooth, LTE czy 5G, przeprowadzanych w komorze bezodbiciowej. Zapraszamy do obejrzenia filmu! [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/10/00.png)

![https://www.youtube.com/watch?v=QSnLO-KmBMY O wybranych projektach realizowanych w Laboratorium Zakładu Układów Mikrofalowych – ISE PW opowiadają: mgr inż. Michał Kalisiak, dr hab. inż. Arkadiusz Lewandowski, mgr inż. Andžej Šerlat oraz dr hab. inż. Krzysztof Czuba. Zapraszamy na firm [materiał redakcyjny]](https://mikrokontroler.pl/wp-content/uploads/2026/09/WEiTI-PW-czolowka.png)

