LinkedIn YouTube Facebook
Szukaj
Szukaj

Newsletter

Proszę czekać.

Dziękujemy za zgłoszenie!

Wstecz
Aktualności

11.12.2019

Nexperia wprowadza do oferty efektywne tranzystory GaN FET

Nexperia wprowadza do oferty tranzystory FET zbudowane z azotku galu (GaN). Pierwsze elementy z tej serii to GAN063-650WSA oferujące napięcie do 650 V, napięcie bramka-źródło (VGS) z zakresu +/- 20 V oraz temperaturą pracy od -55°C do +175°C. Tranzystor charakteryzuje się także  niską rezystancją w stanie włączenia – Rds(on) – na poziomie 60 mΩ, a także szybkim przełączaniem i dużą wydajnością.

Tranzystory znajdą zastosowanie w aplikacjach, gdzie konieczna jest duża sprawność energetyczna, takich jak przemysł, infrastruktura telekomunikacyjna centra danych oraz pojazdy elektryczne.

Elementy będą dostępne w obudowach TO-247.

Więcej informacji na stronie: https://efficiencywins.nexperia.com/innovation/gan-introduction.html

Autor: Nexperia
Tagi: GaN, Nexperia, podzespoły, tranzystory

Przeczytaj również:

Źródło: materiały prasowe Renesas przedstawia mikrokontrolery RX74M i RX74N
Od lewej: Thejas Gupta Shivashankar, dyrektor ds. rozwoju biznesu i ekosystemu partnerów w firmie NVIDIA, Ferdaousse Ziari, dyrektor ds. inżynierii (Europa) w firmie Reynolds and Moore, Jenny Shern, dyrektor generalna NEXCOM Robotic Solutions (NexCOBOT), dr Florian Weisshardt, dyrektor Synapticon Intelligence NEXCOM prezentuje platformę robotyczną AI RoboWIZ
Zdjęcie poglądowe Rynek urządzeń do wytrawiania PCB wzrośnie do 2,58 mld USD