Nexperia wprowadza do oferty tranzystory FET zbudowane z azotku galu (GaN). Pierwsze elementy z tej serii to GAN063-650WSA oferujące napięcie do 650 V, napięcie bramka-źródło (VGS) z zakresu +/- 20 V oraz temperaturą pracy od -55°C do +175°C. Tranzystor charakteryzuje się także niską rezystancją w stanie włączenia – Rds(on) – na poziomie 60 mΩ, a także szybkim przełączaniem i dużą wydajnością.
Tranzystory znajdą zastosowanie w aplikacjach, gdzie konieczna jest duża sprawność energetyczna, takich jak przemysł, infrastruktura telekomunikacyjna centra danych oraz pojazdy elektryczne.
Elementy będą dostępne w obudowach TO-247.
Więcej informacji na stronie: https://efficiencywins.nexperia.com/innovation/gan-introduction.html
